[实用新型]用于形成电阻的半导体结构

权利要求书

1.一种用于形成电阻的半导体结构，其特征在于，包括：

位于半导体衬底上的场氧化层，所述场氧化层隔离出第一有源区；

位于所述第一有源区宽度第一侧上方的第一掩膜层；

位于所述第一有源区宽度第二侧上方的第二掩膜层；

所述第一掩膜层和所述第二掩膜层之间的距离等于电阻的宽度。

2.根据权利要求1所述的用于形成电阻的半导体结构，其特征在于，

还包括位于所述第一有源区长度第一侧上方的第三掩膜层；

或者，还同时包括位于所述第一有源区长度第一侧上方的第三掩膜层和位于所述第一有源区长度第二侧上方的第四掩膜层，所述第三掩膜层和所述第四掩膜层之间的距离大于所述电阻的长度。

3.根据权利要求1所述的用于形成电阻的半导体结构，其特征在于，所述第一掩膜层为多晶硅层，所述第二掩膜层为多晶硅层。

4.根据权利要求1所述的用于形成电阻的半导体结构，其特征在于，所述第一掩膜层全部位于所述第一有源区正上方，或者，所述第一掩膜层部分位于所述场氧化层正上方；所述第二掩膜层全部位于所述第一有源区正上方，或者，所述第二掩膜层部分位于所述场氧化层正上方。

5.根据权利要求1所述的用于形成电阻的半导体结构，其特征在于，所述第一掩膜层宽度所在方向与所述第一有源区宽度所在方向平行，所述第一掩膜层的宽度在0.5μm以上；所述第二掩膜层宽度所在方向与所述第一有源区宽度所在方向平行，所述第二掩膜层的宽度在0.5μm以上。