[实用新型]一种用于物理气相沉积的电介质沉积的设备

说明书

本实用新型公开了一种用于物理气相沉积的电介质沉积的设备，包括装置外壳和抽真空装置，装置外壳位于抽真空装置正上方位置处，装置外壳与抽真空装置焊接固定，且装置外壳与抽真空装置之间相连通，利用设置的靶材与钨丝的配合，实现对于气体离子或被蒸发物质离子轰击作用的同时，把蒸发物或其反应物蒸镀在基材上，同时呈弧形的电热管实现对于真空镀膜室内部的高温提供。

技术领域

本实用新型涉及物理气相沉积设备技术领域，具体为一种用于物理气相沉积的电介质沉积的设备。

背景技术

在半导体处理中，物理气相沉积(PVD)是用于沉积薄膜的传统使用的工艺。 PVD工艺大体上包括轰击靶材，致使源材料被从靶材溅射，所述靶材包括具有来自等离子体的离子的源材料。喷射出的源材料接着经由电压偏压而被加速朝向待处理的基板，导致具有与其他反应剂反应，或不具有与其他反应剂反应的源材料的沉积。近年来，PVD工艺已被越来越多地用以取代化学气相沉积 (CVD)而沉积电介质材料。与通过CVD而形成的电介质膜相比，通过PVD而形成的电介质薄膜具有更少的污染，因此具有更高的质量

但是，现有的用于物理气相沉积的电介质沉积的设备在进行蒸镀过程中往往无法保证很好的真空环境而使蒸镀成本增加，且蒸镀过程由于基材的固定使蒸镀时无法保证均匀的蒸镀结果。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于物理气相沉积的电介质沉积的设备，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种用于物理气相沉积的电介质沉积的设备，包括装置外壳和抽真空装置，所述装置外壳位于抽真空装置正上方位置处，所述装置外壳与抽真空装置焊接固定，且所述装置外壳与抽真空装置之间相连通：所述装置外壳上表面中心位置处设置有控制系统，所述控制系统与装置外壳上表面中心位置固定连接，所述装置外壳内部下底端位置处设置有真空镀膜室，所述真空镀膜室固定于装置外壳内底端中心处，所述真空镀膜室上顶面设置有固定底板，所述固定底板与真空镀膜室上顶面焊接固定，所述固定底板两侧顶端位置处与装置外壳内壁焊接固定，所述真空镀膜室内部上顶面位置处设置有基材固定架，所述基材固定架上顶面与固定底板螺钉连接，所述真空镀膜室两侧位置处设置有电热管，所述电热管上顶端与固定底板固定连接，所述真空镀膜室内部中心位置处设置有靶材，所述靶材外端面缠绕有钨丝，所述靶材两侧端中心位置设置有高电流线路，所述基材固定架下表面两侧端位置处设置有滑动导轨，所述滑动导轨两侧端与基材固定架内壁焊接固定，所述滑动导轨共有两组，所述基材固定架中心位置设置有基材固定板，所述基材固定板四角位置处设置有滑块，所述滑块与基材固定板螺钉连接，所述真空镀膜室下底面一侧位置处固定连接有预抽真空管道，所述预抽真空管道连通至装置外壳外端，所述预抽真空管道中心位置处设置有真空电磁阀，所述真空电磁阀与预抽真空管道固定连接，所述预抽真空管道下底端与抽真空装置焊接固定，且所述预抽真空管道下底端与抽真空装置内部连通，所述抽真空装置内部下底面一侧端设置有高真空抽气管道，所述高真空抽气管道外顶端位置处设置有真空泵，所述真空泵与高真空抽气管道焊接固定，所述高真空抽气管道上顶端焊接固定有缓冲管道，所述缓冲管道上顶端位置处设置有高真空阀，且所述高真空阀与预抽真空管道固定连通，所述高真空阀内部一侧固定连接有水冷循环管，所述高真空阀与缓冲管道焊接固定，所述高真空阀另一侧顶端连通有排气管道，所述排气管道与高真空阀固定连接，所述排气管道中心位置处设置有排气阀，所述排气阀与排气管道外壁固定连接。

优选的，所述装置外壳上部两侧壁中心位置处设置有电源箱，所述电源箱与装置外壳固定连接。

优选的，所述电热管呈弧形，所述靶材通过高电流线路与电源箱电性连接。

优选的，所述基材固定板内表面外端边缘位置处设置有弹簧板夹，所述弹簧板夹与基材固定板螺钉连接，且所述弹簧板夹共有四组。

优选的，所述滑块套接与滑动导轨外表面，所述滑块共有四组，且所述基材固定板通过滑块与滑动导轨滑动连接。