[实用新型]现场加长恢复电缆熔接直通接头结构有效
申请号: | 201821246410.4 | 申请日: | 2018-08-03 |
公开(公告)号: | CN208423751U | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 聂龙威;聂国金;钟奇双;邓玉琼 | 申请(专利权)人: | 广东科启电力技术有限公司 |
主分类号: | H02G15/08 | 分类号: | H02G15/08 |
代理公司: | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人: | 王和平 |
地址: | 528471 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电缆 导体 恢复 加长 直通接头 堵水 连管 熔接 熔融 绝缘层 本实用新型 内半导电层 外半导电层 半导电布 电缆本体 电缆线芯 绝缘层外表面 半导电层 电缆连接 接头保护 熔融焊接 依次设置 由内向外 电缆沟 工字形 裸露段 填埋 缠绕 开挖 裸露 体内 | ||
1.一种现场加长恢复电缆熔接直通接头结构,包括第一单相电缆(1)和第二单相电缆(2),其特征在于:还包括工字形的堵水连管导体(3),所述第一单相电缆(1)由内向外依次设置的第一单相电缆线芯(4)、第一单相电缆本体内半导电层(5)、第一单相电缆本体绝缘层(6)及第一单相电缆本体外半导电层(7)组成,所述第二单相电缆(2)由内向外依次设置的第二单相电缆线芯(8)、第二单相电缆本体内半导电层(9)、第二单相电缆本体绝缘层(10)及第二单相电缆本体外半导电层(11)组成;
所述第一单相电缆线芯(4)具有裸露于所述第一单相电缆本体内半导电层(5)外部的第一裸露段(12),所述第二单相电缆线芯(8)具有裸露于所述第二单相电缆本体内半导电层(9)外部的第二裸露段(13),所述第一裸露段(12)和第二裸露段(13)分别熔融焊接于所述堵水连管导体(3)的两个缺口;
所述堵水连管导体(3)上缠绕有导体半导电布层(14),所述导体半导电布层(14)的两端分别连接并缠绕包裹所述第一裸露段(12)和第二裸露段(13);
所述导体半导电布层(14)外表面熔融包裹有恢复内半导电层(15),所述恢复内半导电层(15)的两端分别熔融连接于所述第一单相电缆本体内半导电层(5)和第二单相电缆本体内半导电层(9);
所述恢复内半导电层(15)外表面熔融包裹有恢复绝缘层(16),所述恢复绝缘层(16)的两端分别熔融连接于所述第一单相电缆本体绝缘层(6)和第二单相电缆本体绝缘层(10);
所述恢复绝缘层(16)外表面熔融包裹有恢复外半导电层(17),所述恢复外半导电层(17)的两端分别熔融连接于所述第一单相电缆本体外半导电层(7)和第二单相电缆本体外半导电层(11)。
2.根据权利要求1所述现场加长恢复电缆熔接直通接头结构,其特征在于:三根所述第一单相电缆(1)通过护套层(18)包裹组成第一电缆(19),三根所述第二单相电缆(2)通过护套层(18) 组成第二电缆(20),三根所述第一单相电缆(1)与三根所述第二单相电缆(2)一一对应,所述第一电缆(19)在三根所述第一单相电缆(1)分叉处设有防水三指套(21),所述防水三指套(21)收缩在三根所述第一单相电缆(1)分叉处并覆盖在所述第一电缆(19)的护套层(18)上,所述第二电缆(20)在三根所述第二单相电缆(2)分叉处设有防水三指套(21),所述防水三指套(21)收缩在三根所述第二单相电缆(2)分叉处并覆盖在所述第二电缆(20)的护套层(18)上。
3.根据权利要求2所述现场加长恢复电缆熔接直通接头结构,其特征在于:所述护套层(18)为高压绝缘热缩胶带防水层,所述高压绝缘热缩胶带防水层为高压绝缘热缩胶带复合结构,包括内层和外层。
4.根据权利要求1所述现场加长恢复电缆熔接直通接头结构,其特征在于:所述第一裸露段(12)与所述第二裸露段(13)的长度之和、所述堵水连管导体(3)的长度、所述导体半导电布层(14)的长度、所述恢复内半导电层(15)的长度、所述恢复绝缘层(16)的长度及所述恢复外半导电层(17)的长度依次增大。
5.根据权利要求1所述现场加长恢复电缆熔接直通接头结构,其特征在于:所述第一单相电缆线芯(4)、第二单相电缆线芯(8)、堵水连管导体(3)、导体半导电布层(14)、恢复内半导电层(15)、恢复绝缘层(16)及恢复外半导电层(17)呈同轴心线结构。
6.根据权利要求1所述现场加长恢复电缆熔接直通接头结构,其特征在于:所述导体半导电布层(14)的厚度为1~3毫米。
7.根据权利要求1所述现场加长恢复电缆熔接直通接头结构,其特征在于:所述恢复内半导电层(15)的厚度为1~5毫米。
8.根据权利要求1所述现场加长恢复电缆熔接直通接头结构,其特征在于:所述恢复绝缘层(16)的厚度为10~30毫米。
9.根据权利要求1所述现场加长恢复电缆熔接直通接头结构,其特征在于:所述恢复外半导电层(17)的厚度为1~5毫米。
10.根据权利要求2所述现场加长恢复电缆熔接直通接头结构,其特征在于:所述护套层(18)的厚度为3~10毫米。
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