[实用新型]现场加长恢复电缆熔接直通接头结构有效
申请号: | 201821246410.4 | 申请日: | 2018-08-03 |
公开(公告)号: | CN208423751U | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 聂龙威;聂国金;钟奇双;邓玉琼 | 申请(专利权)人: | 广东科启电力技术有限公司 |
主分类号: | H02G15/08 | 分类号: | H02G15/08 |
代理公司: | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人: | 王和平 |
地址: | 528471 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电缆 导体 恢复 加长 直通接头 堵水 连管 熔接 熔融 绝缘层 本实用新型 内半导电层 外半导电层 半导电布 电缆本体 电缆线芯 绝缘层外表面 半导电层 电缆连接 接头保护 熔融焊接 依次设置 由内向外 电缆沟 工字形 裸露段 填埋 缠绕 开挖 裸露 体内 | ||
本实用新型涉及电缆连接领域,公开了一种现场加长恢复电缆熔接直通接头结构,包括两根电缆,还包括工字形的堵水连管导体,两根电缆均由内向外依次设置的电缆线芯、电缆本体内半导电层、电缆本体绝缘层及电缆本体外半导电层组成,两根电缆线芯裸露的裸露段分别熔融焊接于堵水连管导体的两个缺口,堵水连管导体上缠绕有导体半导电布层,导体半导电布层外表面熔融包裹有恢复内半导电层,恢复内半导电层外表面熔融包裹有恢复绝缘层,恢复绝缘层外表面熔融包裹有恢复外半导电层。本实用新型现场加长恢复电缆熔接直通接头结构,不用开挖太多的电缆沟,不用做接头保护井,不用加长电缆对接,恢复好后可直接填埋。
技术领域
本实用新型涉及电缆连接领域,具体涉及一种现场加长恢复电缆熔接直通接头结构。
背景技术
电缆运行事故的80%是发生在电缆中间接头上,特别是中压电缆,据统计,这些击穿事故大多数发生在电缆附件上,电缆本体故障率较低。通过分析,引起电缆附件故障的原因,大部分是由于电缆附件本身存在的问题,且国际国内业界均为如此现状。
根据电缆故障分析总结,电缆附件的中间接头导致电缆击穿的原因主要为电缆附件接头与电缆绝缘之间有可活动界面,存在电缆绝缘回缩或导致电缆接头主体移位的隐患,在电场力和热场作用下界面极易发生由于微气隙、多因子老化、进潮、化学腐蚀、老化、杂质、电缆附件热性能、介质损耗、热胀冷缩等诸多原因引起接头击穿事故等。如果用传统附件恢复通电要加一根比较长的电缆做两个中间接头,需要开挖面积比较大的电缆沟才能恢复以及要做两个中间接头保护井,施工周期长、成本高、效率低、安全性能差。
实用新型内容
本实用新型的目的就是针对上述技术的不足,提供一种现场加长恢复电缆熔接直通接头结构,不用开挖太多的电缆沟,不用做接头保护井,不用加长电缆对接,恢复好后可直接填埋,解决了现有传统附件接头击穿所带来不能快速恢复通电的诸多问题。
为实现上述目的,本实用新型所设计的现场加长恢复电缆熔接直通接头结构,包括第一单相电缆和第二单相电缆,还包括工字形的堵水连管导体,所述第一单相电缆由内向外依次设置的第一单相电缆线芯、第一单相电缆本体内半导电层、第一单相电缆本体绝缘层及第一单相电缆本体外半导电层组成,所述第二单相电缆由内向外依次设置的第二单相电缆线芯、第二单相电缆本体内半导电层、第二单相电缆本体绝缘层及第二单相电缆本体外半导电层组成;
所述第一单相电缆线芯具有裸露于所述第一单相电缆本体内半导电层外部的第一裸露段,所述第二单相电缆线芯具有裸露于所述第二单相电缆本体内半导电层外部的第二裸露段,所述第一裸露段和第二裸露段分别熔融焊接于所述堵水连管导体的两个缺口,传统的附件都是工厂预制生产好的,都是标准件,无法加长附件的生产,根据电网标准,在同一条电缆按《额定电压1kV(Um=1.2kV)到 35kV(Um=40.5kV)挤包绝缘电力电缆及附件第4部分:额定电压 6kV(Um=7.2kV)到35kV(Um=40.5kV)电力电缆附件试验要求GBT12706.4-2008》规定,10kV电缆附件距离大于2m,所以用传统附件恢复通电要加一根比较长的电缆才能将原来电缆连接,要开挖面积比较大的电缆沟才能作业恢复以及要做两个中间接头保护井,施工周期长、成本高、效率低,通过工字形的所述堵水连管导体,不用开挖太多的电缆沟,不用做接头保护井,不用加长电缆对接;
所述堵水连管导体上缠绕有导体半导电布层,所述导体半导电布层的两端分别连接并缠绕包裹所述第一裸露段和第二裸露段,所述导体半导电布层起到屏蔽导体毛刺尖端作用,压接过的导体处需要打磨,将所述导体半导电布层包裹在压接处以及裸露的导体的表面上,屏蔽导体毛刺尖端避免形成高等电位放电对绝缘层的破坏;
所述导体半导电布层外表面熔融包裹有恢复内半导电层,所述恢复内半导电层的两端分别熔融连接于所述第一单相电缆本体内半导电层和第二单相电缆本体内半导电层,所述恢复内半导电层对导体的电场屏蔽保护作用,采用原电缆本体内半导电层相同的材料,将恢复内半导电层包裹在导体表面并与两端原电缆本体内半导电层连接,加热交联融合一体,形成无缝隙的电场屏蔽层;
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