[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 201821258040.6 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN208706644U | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 佐野雄一 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/50 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体装置 密封树脂层 接地配线 半导体芯片 屏蔽层 导电性 电磁波噪音 侧面连接 方式设置 侧面 上表面 封装 密封 泄漏 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于具备：
衬底；
半导体芯片，搭载在所述衬底上；
第1与第2接地配线，设置在所述衬底的内部；
密封树脂层，以将所述半导体芯片密封的方式设置在所述衬底上；以及
导电性的屏蔽层，设置在所述密封树脂层的上表面、所述密封树脂层的侧面、及所述衬底的侧面，且在所述衬底的侧面连接于所述第1与第2接地配线；且
所述第1与第2接地配线通过在与所述屏蔽层的接触面附近展开而相互连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于所述第1与第2接地配线彼此在所述衬底的侧面与所述屏蔽层之间相互连接。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于所述第1与第2接地配线与所述屏蔽层的接触面积在所述衬底内的与所述衬底的侧面大致平行的截面中，大于所述第1与第2接地配线的截面面积的和。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于所述第1与第2接地配线间的间隔为所述衬底的侧面中的所述第1与第2接地配线的扩展宽度的2倍以下。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于所述第1与第2接地配线在所述衬底的侧面沿相对于所述衬底的上表面大致平行的方向排列，且相互连接。
6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于所述第1与第2接地配线在所述衬底的侧面沿相对于所述衬底的上表面大致垂直的方向排列，且相互连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝存储器株式会社，未经东芝存储器株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821258040.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件
- 下一篇：一种1500V系统用光伏防反二极管模块
