[实用新型]半导体装置有效
申请号: | 201821258853.5 | 申请日: | 2018-08-06 |
公开(公告)号: | CN209016056U | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 饭岛纯;中嶋由美 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L27/11526 | 分类号: | H01L27/11526;H01L27/11551;H01L27/11573;H01L27/11578 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 直线部 插塞 配线 弯曲部 对向 半导体装置 方向延伸 方向垂直 邻接 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于具备:
第1配线,包含沿着第1方向延伸的第1直线部、及相对于所述第1直线部弯曲的第1弯曲部;
第2配线,包含沿着所述第1方向延伸且在与所述第1方向垂直的第2方向上与所述第1直线部邻接的第2直线部、及相对于所述第2直线部弯曲的第2弯曲部;
第1插塞,设置在所述第1弯曲部上,或设置在所述第1直线部中的不与所述第2直线部在所述第2方向对向的第1非对向部分上;以及
第2插塞,设置在所述第2弯曲部上,或设置在所述第2直线部中的不与所述第1直线部在所述第2方向对向的第2非对向部分上。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:所述第1弯曲部相对于所述第1直线部朝所述第2直线部侧弯曲,
所述第2弯曲部相对于所述第2直线部朝所述第1直线部侧弯曲。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于还具备:
第1下部插塞,设置在所述第1直线部下;及
第2下部插塞,设置在所述第2直线部下;且
所述第1插塞的上表面的面积大于所述第1下部插塞的上表面的面积,
所述第1插塞的下表面的面积大于所述第1下部插塞的下表面的面积,
所述第2插塞的上表面的面积大于所述第2下部插塞的上表面的面积,
所述第2插塞的下表面的面积大于所述第2下部插塞的下表面的面积。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于还具备:
第3配线,包含沿着所述第1方向延伸且在所述第2方向与所述第2直线部邻接的第3直线部、及相对于所述第3直线部弯曲的第3弯曲部;
第4配线,包含沿着所述第1方向延伸且在所述第2方向上与所述第3直线部邻接的第4直线部、及相对于所述第4直线部弯曲的第4弯曲部;
第3插塞,设置在所述第3弯曲部上,或设置在所述第3直线部中的不与所述第4直线部在所述第2方向对向的第3非对向部分上;以及
第4插塞,设置在所述第4弯曲部上,或设置在所述第4直线部中的不与所述第3直线部在所述第2方向对向的第4非对向部分上;且
所述第4非对向部分位于所述第1非对向部分的所述第2方向。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于还具备:
第3配线,包含沿着所述第1方向延伸且在所述第2方向上与所述第1直线部邻接的第3直线部、及相对于所述第3直线部弯曲的第3弯曲部;
第4配线,包含沿着所述第1方向延伸且在所述第2方向上与所述第2直线部邻接的第4直线部;及相对于所述第4直线部弯曲的第4弯曲部;
第3插塞,设置在所述第3弯曲部上;以及
第4插塞,设置在所述第4弯曲部上。
6.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于:所述第3弯曲部相对于所述第3直线部朝所述第4直线部侧弯曲,
所述第4弯曲部相对于所述第4直线部朝所述第3直线部侧弯曲。
7.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于:所述第3弯曲部的曲率半径大于所述第1弯曲部的曲率半径,
所述第4弯曲部的曲率半径大于所述第2弯曲部的曲率半径。
8.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于:所述第1插塞设置在所述第1非对向部分、且设置在所述第3配线的端部与所述第4配线的端部之间的第1间隙的所述第2方向上,
所述第2插塞设置在所述第2非对向部分、且设置在所述第3配线的端部与所述第4配线的端部之间的第2间隙的所述第2方向上。
9.一种半导体装置,其特征在于具备:
第1芯片,具有第1垫;及
第2芯片,具有设置在所述第1垫上的第2垫;且
所述第1芯片具有:柱状部,至少包含构成存储单元阵列的通道半导体层;配线,设置在所述第1垫与所述柱状部之间,且与所述柱状部电连接;及插塞,设置在所述配线与所述第1垫之间,且将所述配线与所述第1垫电连接。
10.根据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于:所述配线至少包含以直线状延伸的直线部、及相对于所述直线部弯曲的弯曲部,
所述插塞是设置在所述直线部或所述弯曲部上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的