[实用新型]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201821258853.5 申请日: 2018-08-06
公开(公告)号: CN209016056U 公开(公告)日: 2019-06-21
发明(设计)人: 饭岛纯;中嶋由美 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: H01L27/11526 分类号: H01L27/11526;H01L27/11551;H01L27/11573;H01L27/11578
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 直线部 插塞 配线 弯曲部 对向 半导体装置 方向延伸 方向垂直 邻接
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于具备:

第1配线,包含沿着第1方向延伸的第1直线部、及相对于所述第1直线部弯曲的第1弯曲部;

第2配线,包含沿着所述第1方向延伸且在与所述第1方向垂直的第2方向上与所述第1直线部邻接的第2直线部、及相对于所述第2直线部弯曲的第2弯曲部;

第1插塞,设置在所述第1弯曲部上,或设置在所述第1直线部中的不与所述第2直线部在所述第2方向对向的第1非对向部分上;以及

第2插塞,设置在所述第2弯曲部上,或设置在所述第2直线部中的不与所述第1直线部在所述第2方向对向的第2非对向部分上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:所述第1弯曲部相对于所述第1直线部朝所述第2直线部侧弯曲,

所述第2弯曲部相对于所述第2直线部朝所述第1直线部侧弯曲。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于还具备:

第1下部插塞,设置在所述第1直线部下;及

第2下部插塞,设置在所述第2直线部下;且

所述第1插塞的上表面的面积大于所述第1下部插塞的上表面的面积,

所述第1插塞的下表面的面积大于所述第1下部插塞的下表面的面积,

所述第2插塞的上表面的面积大于所述第2下部插塞的上表面的面积,

所述第2插塞的下表面的面积大于所述第2下部插塞的下表面的面积。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于还具备:

第3配线,包含沿着所述第1方向延伸且在所述第2方向与所述第2直线部邻接的第3直线部、及相对于所述第3直线部弯曲的第3弯曲部;

第4配线,包含沿着所述第1方向延伸且在所述第2方向上与所述第3直线部邻接的第4直线部、及相对于所述第4直线部弯曲的第4弯曲部;

第3插塞,设置在所述第3弯曲部上,或设置在所述第3直线部中的不与所述第4直线部在所述第2方向对向的第3非对向部分上;以及

第4插塞,设置在所述第4弯曲部上,或设置在所述第4直线部中的不与所述第3直线部在所述第2方向对向的第4非对向部分上;且

所述第4非对向部分位于所述第1非对向部分的所述第2方向。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于还具备:

第3配线,包含沿着所述第1方向延伸且在所述第2方向上与所述第1直线部邻接的第3直线部、及相对于所述第3直线部弯曲的第3弯曲部;

第4配线,包含沿着所述第1方向延伸且在所述第2方向上与所述第2直线部邻接的第4直线部;及相对于所述第4直线部弯曲的第4弯曲部;

第3插塞,设置在所述第3弯曲部上;以及

第4插塞,设置在所述第4弯曲部上。

6.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于:所述第3弯曲部相对于所述第3直线部朝所述第4直线部侧弯曲,

所述第4弯曲部相对于所述第4直线部朝所述第3直线部侧弯曲。

7.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于:所述第3弯曲部的曲率半径大于所述第1弯曲部的曲率半径,

所述第4弯曲部的曲率半径大于所述第2弯曲部的曲率半径。

8.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于:所述第1插塞设置在所述第1非对向部分、且设置在所述第3配线的端部与所述第4配线的端部之间的第1间隙的所述第2方向上,

所述第2插塞设置在所述第2非对向部分、且设置在所述第3配线的端部与所述第4配线的端部之间的第2间隙的所述第2方向上。

9.一种半导体装置,其特征在于具备:

第1芯片,具有第1垫;及

第2芯片,具有设置在所述第1垫上的第2垫;且

所述第1芯片具有:柱状部,至少包含构成存储单元阵列的通道半导体层;配线,设置在所述第1垫与所述柱状部之间,且与所述柱状部电连接;及插塞,设置在所述配线与所述第1垫之间,且将所述配线与所述第1垫电连接。

10.根据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于:所述配线至少包含以直线状延伸的直线部、及相对于所述直线部弯曲的弯曲部,

所述插塞是设置在所述直线部或所述弯曲部上。

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