[实用新型]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201821258853.5 申请日: 2018-08-06
公开(公告)号: CN209016056U 公开(公告)日: 2019-06-21
发明(设计)人: 饭岛纯;中嶋由美 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: H01L27/11526 分类号: H01L27/11526;H01L27/11551;H01L27/11573;H01L27/11578
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 直线部 插塞 配线 弯曲部 对向 半导体装置 方向延伸 方向垂直 邻接
【说明书】:

实施方式提供一种能够在配线上恰当且容易地形成插塞的半导体装置。根据一实施方式,半导体装置具备第1配线,该第1配线包含沿着第1方向延伸的第1直线部、及相对于第1直线部弯曲的第1弯曲部。装置还具备第2配线,该第2配线包含:第2直线部,沿着第1方向延伸,且在与第1方向垂直的第2方向上与第1直线部邻接;及第2弯曲部,相对于第2直线部弯曲。装置还具备第1插塞,该第1插塞设置在第1弯曲部上,或设置在第1直线部中的不与第2直线部在第2方向对向的第1非对向部分上。装置还具备第2插塞,该第2插塞设置在第2弯曲部上,或设置在第2直线部中的不与第1直线部在第2方向对向的第2非对向部分上。

[相关申请]

本申请享有以日本专利申请2018-51475号(申请日:2018年3月19日)作为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本实用新型的实施方式涉及一种半导体装置。

背景技术

在半导体装置的配线上形成插塞的情况下,为了将插塞容易地形成在准确的位置,通常在构成该配线的垫上形成插塞。然而,此种垫会妨碍半导体装置的小型化,所以理想的是不使用垫便可恰当且容易地形成插塞。

实用新型内容

本实施方式提供一种能够在配线上恰当且容易地形成插塞的半导体装置。

根据一实施方式,半导体装置具备第1配线,该第1配线包含沿着第1方向延伸的第1直线部、及相对于所述第1直线部弯曲的第1弯曲部。所述装置还具备第2配线,该第2配线包含:第2直线部,沿着所述第1方向延伸,且在与所述第1方向垂直的第2方向上与所述第1直线部邻接;及第2弯曲部,相对于所述第2直线部弯曲。所述装置还具备第1插塞,该第1插塞设置在所述第1弯曲部上,或设置在所述第1直线部中的不与所述第2直线部在所述第2方向对向的第1非对向部分上。所述装置还具备第2插塞,该第2插塞设置在所述第2弯曲部上,或设置在所述第2直线部中的不与所述第1直线部在所述第2方向对向的第2非对向部分上。

另外,理想的是,所述第1弯曲部相对于所述第1直线部朝所述第2直线部侧弯曲,所述第2弯曲部相对于所述第2直线部朝所述第1直线部侧弯曲。

此外,理想的是,还具备:第1下部插塞,设置在所述第1直线部下;及第2下部插塞,设置在所述第2直线部下;且所述第1插塞的上表面的面积及下表面的面积分别大于所述第1下部插塞的上表面的面积及下表面的面积,所述第2插塞的上表面的面积及下表面的面积分别大于所述第2下部插塞的上表面的面积及下表面的面积。

此外,理想的是,还具备:第3配线,包含沿着所述第1方向延伸且在所述第2方向与所述第2直线部邻接的第3直线部、及相对于所述第3直线部弯曲的第3弯曲部;第4配线,包含沿着所述第1方向延伸且在所述第2方向上与所述第3直线部邻接的第4直线部、及相对于所述第4直线部弯曲的第4弯曲部;第3插塞,设置在所述第3弯曲部上,或设置在所述第3直线部中的不与所述第4直线部在所述第2方向对向的第3非对向部分上;以及第4插塞,设置在所述第4弯曲部上,或设置在所述第4直线部中的不与所述第3直线部在所述第2方向对向的第4非对向部分上;且所述第4非对向部分位于所述第1非对向部分的所述第2方向。

此外,理想的是,还具备:第3配线,包含沿着所述第1方向延伸且在所述第2方向上与所述第1直线部邻接的第3直线部、及相对于所述第3直线部弯曲的第3弯曲部;第4配线,包含沿着所述第1方向延伸且在所述第2方向上与所述第2直线部邻接的第4直线部;及相对于所述第4直线部弯曲的第4弯曲部;第3插塞,设置在所述第3弯曲部上;以及第4插塞,设置在所述第4弯曲部上。

此外,理想的是,所述第3弯曲部相对于所述第3直线部朝所述第4直线部侧弯曲,所述第4弯曲部相对于所述第4直线部朝所述第3直线部侧弯曲。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝存储器株式会社,未经东芝存储器株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821258853.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top