[实用新型]半导体装置有效
申请号: | 201821258853.5 | 申请日: | 2018-08-06 |
公开(公告)号: | CN209016056U | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 饭岛纯;中嶋由美 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L27/11526 | 分类号: | H01L27/11526;H01L27/11551;H01L27/11573;H01L27/11578 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 直线部 插塞 配线 弯曲部 对向 半导体装置 方向延伸 方向垂直 邻接 | ||
实施方式提供一种能够在配线上恰当且容易地形成插塞的半导体装置。根据一实施方式,半导体装置具备第1配线,该第1配线包含沿着第1方向延伸的第1直线部、及相对于第1直线部弯曲的第1弯曲部。装置还具备第2配线,该第2配线包含:第2直线部,沿着第1方向延伸,且在与第1方向垂直的第2方向上与第1直线部邻接;及第2弯曲部,相对于第2直线部弯曲。装置还具备第1插塞,该第1插塞设置在第1弯曲部上,或设置在第1直线部中的不与第2直线部在第2方向对向的第1非对向部分上。装置还具备第2插塞,该第2插塞设置在第2弯曲部上,或设置在第2直线部中的不与第1直线部在第2方向对向的第2非对向部分上。
[相关申请]
本申请享有以日本专利申请2018-51475号(申请日:2018年3月19日)作为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
技术领域
本实用新型的实施方式涉及一种半导体装置。
背景技术
在半导体装置的配线上形成插塞的情况下,为了将插塞容易地形成在准确的位置,通常在构成该配线的垫上形成插塞。然而,此种垫会妨碍半导体装置的小型化,所以理想的是不使用垫便可恰当且容易地形成插塞。
实用新型内容
本实施方式提供一种能够在配线上恰当且容易地形成插塞的半导体装置。
根据一实施方式,半导体装置具备第1配线,该第1配线包含沿着第1方向延伸的第1直线部、及相对于所述第1直线部弯曲的第1弯曲部。所述装置还具备第2配线,该第2配线包含:第2直线部,沿着所述第1方向延伸,且在与所述第1方向垂直的第2方向上与所述第1直线部邻接;及第2弯曲部,相对于所述第2直线部弯曲。所述装置还具备第1插塞,该第1插塞设置在所述第1弯曲部上,或设置在所述第1直线部中的不与所述第2直线部在所述第2方向对向的第1非对向部分上。所述装置还具备第2插塞,该第2插塞设置在所述第2弯曲部上,或设置在所述第2直线部中的不与所述第1直线部在所述第2方向对向的第2非对向部分上。
另外,理想的是,所述第1弯曲部相对于所述第1直线部朝所述第2直线部侧弯曲,所述第2弯曲部相对于所述第2直线部朝所述第1直线部侧弯曲。
此外,理想的是,还具备:第1下部插塞,设置在所述第1直线部下;及第2下部插塞,设置在所述第2直线部下;且所述第1插塞的上表面的面积及下表面的面积分别大于所述第1下部插塞的上表面的面积及下表面的面积,所述第2插塞的上表面的面积及下表面的面积分别大于所述第2下部插塞的上表面的面积及下表面的面积。
此外,理想的是,还具备:第3配线,包含沿着所述第1方向延伸且在所述第2方向与所述第2直线部邻接的第3直线部、及相对于所述第3直线部弯曲的第3弯曲部;第4配线,包含沿着所述第1方向延伸且在所述第2方向上与所述第3直线部邻接的第4直线部、及相对于所述第4直线部弯曲的第4弯曲部;第3插塞,设置在所述第3弯曲部上,或设置在所述第3直线部中的不与所述第4直线部在所述第2方向对向的第3非对向部分上;以及第4插塞,设置在所述第4弯曲部上,或设置在所述第4直线部中的不与所述第3直线部在所述第2方向对向的第4非对向部分上;且所述第4非对向部分位于所述第1非对向部分的所述第2方向。
此外,理想的是,还具备:第3配线,包含沿着所述第1方向延伸且在所述第2方向上与所述第1直线部邻接的第3直线部、及相对于所述第3直线部弯曲的第3弯曲部;第4配线,包含沿着所述第1方向延伸且在所述第2方向上与所述第2直线部邻接的第4直线部;及相对于所述第4直线部弯曲的第4弯曲部;第3插塞,设置在所述第3弯曲部上;以及第4插塞,设置在所述第4弯曲部上。
此外,理想的是,所述第3弯曲部相对于所述第3直线部朝所述第4直线部侧弯曲,所述第4弯曲部相对于所述第4直线部朝所述第3直线部侧弯曲。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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