[实用新型]一种多层薄膜的制备装置有效

专利信息
申请号: 201821261167.3 申请日: 2018-08-06
公开(公告)号: CN209024630U 公开(公告)日: 2019-06-25
发明(设计)人: 夏洋 申请(专利权)人: 嘉兴科民电子设备技术有限公司
主分类号: C23C14/22 分类号: C23C14/22;C23C16/458;C23C14/50
代理公司: 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 代理人: 刘杰
地址: 314006 浙江省嘉兴市南湖*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 第二腔室 容置空间 传送机构 第一腔室 多层薄膜 制备装置 腔室 薄膜生长系统 材料技术领域 本实用新型 真空机械手 薄膜生长 技术效果 腔室容置 相对设置 占用空间 反应腔 集束型 体积小 真空泵 门阀 容置
【说明书】:

本实用新型公开了一种多层薄膜的制备装置,涉及材料技术领域,所述装置包括:第一腔室,所述第一腔室具有一容置空间;第二腔室,所述第二腔室设置在所述容置空间内,且所述第二腔室容置第一材质;第三腔室,所述第三腔室与所述第二腔室相对设置,且所述第三腔室容置第二材质;传送机构,所述传送机构设置在所述容置空间内。通过上述装置解决了现有技术中的集束型薄膜生长系统增加了反应腔、门阀、真空泵、真空机械手等部件,导致成本和占用空间均增加的技术问题,达到了单一真空中实现多种薄膜生长,体积小,装置简单,效率高,操作简单且成本低的技术效果。

技术领域

本实用新型属于材料技术领域,尤其涉及一种多层薄膜的制备装置。

背景技术

目前生长薄膜的方法主要有磁控溅射、真空蒸发、化学气相外延及原子层外延等。如果一次真空中生长多层不同材料的薄膜,便需要在同一真空腔内设置多种靶,或多种反应源。且随着对多层薄膜的质量要求的提高,多种材料生长过程中的相互污染显得更加显著。为此,单腔多靶的方式改进为多腔多靶,每个腔室就一个靶,腔室之间用真空机械手进行样品传输,称为集束型薄膜生长系统。

但本申请实用新型人在实现本申请实施例中技术方案的过程中,发现上述现有技术至少存在如下技术问题:

现有技术中的集束型薄膜生长系统增加了反应腔、门阀、真空泵、真空机械手等部件,导致成本和占用空间均增加。

发明内容

本申请实施例通过提供一种多层薄膜的制备装置,解决了现有技术中的集束型薄膜生长系统增加了反应腔、门阀、真空泵、真空机械手等部件,导致成本和占用空间均增加的技术问题,达到了单一真空中实现多种薄膜生长,体积小,装置简单,效率高,操作简单且成本低的技术效果。

本实用新型实施例提供了一种多层薄膜的制备装置,所述装置包括:第一腔室,所述第一腔室具有一容置空间;第二腔室,所述第二腔室设置在所述容置空间内,且所述第二腔室容置第一材质;第三腔室,所述第三腔室与所述第二腔室相对设置,且所述第三腔室容置第二材质;传送机构,所述传送机构设置在所述容置空间内。

优选的,所述传送机构包括:支撑杆,所述支撑杆设置在所述第二腔室与所述第三腔室之间;置物盘,所述置物盘与所述支撑杆垂直设置,所述置物盘相对所述第二腔室具有第一位置和第二位置,其中,所述第一位置为所述置物盘和所述第二腔室具有一预定距离,所述第二位置为所述置物盘接触所述第二腔室顶部后的位置。

优选的,所述传送机构还包括:所述置物盘可绕所述支撑杆旋转。

优选的,所述装置还包括:第四腔室,所述第四腔室设置在所述容置空间内,且所述第四腔室容置第三材质。

优选的,所述装置还包括:所述第一材质不同于所述第二材质。

优选的,所述装置还包括:所述第二材质不同于所述第三材质。

优选的,所述装置还包括:M个通孔,所述M个通孔设置在所述置物盘上,其中,M为正整数。

优选的,所述装置还包括:所述M个通孔内壁为阶梯形。

本实用新型实施例中的上述一个或多个技术方案,至少具有如下一种或多种技术效果:

1、在本实用新型实施例提供的一种多层薄膜的制备装置,所述装置包括:第一腔室,所述第一腔室具有一容置空间;第二腔室,所述第二腔室设置在所述容置空间内,且所述第二腔室容置第一材质;第三腔室,所述第三腔室与所述第二腔室相对设置,且所述第三腔室容置第二材质;传送机构,所述传送机构设置在所述容置空间内。通过上述装置解决了现有技术中的集束型薄膜生长系统增加了反应腔、门阀、真空泵、真空机械手等部件,导致成本和占用空间均增加的技术问题,达到了单一真空中实现多种薄膜生长,体积小,装置简单,效率高,操作简单且成本低的技术效果。

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