[实用新型]一种多坩埚晶体生长炉

说明书

一种多坩埚晶体生长炉。主要解决了现在的晶体生长炉无法多坩埚生长的问题。其特征在于：所述炉体内横向设有隔热支撑板（2），所述隔热支撑板将所述炉体分成互不接触的上炉体（11）和下炉体（12），所述上炉体内腔设有第一内腔（3），所述下炉体设有第二内腔（4），所述第一腔内设有加热体（6），所述隔热支撑板上设有隔热安装板（5），所述隔热安装板上端面设有若干用于坩埚（9）底部安装的安装孔（51），所述隔热支撑板上设有与所述安装孔对应设置的通孔（21）。本实用新型提供一种多坩埚晶体生长炉，该隔热安装板可以安装多个坩埚，实现多坩埚生长，另一方面可以产生适合晶体生长的温度梯度，得到高质量的晶体。

技术领域

本实用新型涉及晶体生长炉技术领域，特别涉及一种多坩埚晶体生长炉。

背景技术

所谓晶体生长是物质在特定的物理和化学条件下由气相、液相或固相形成晶体的过程。人类在数千年前就会晒盐和制糖。人工模仿天然矿物并首次合成成功的是刚玉宝石(α氧化铝)一法国化学家A。维尔纳叶约在1890年开始试验用氢氧焰熔融氧化铝粉末，以生长宝石，这个方法一直沿用至今，仍是生长轴承用宝石种装饰品宝石的主要方法。第二次世界大战后，由于天然水晶作为战略物资而引起人们的重视，科学家们又发明了水热法生长人工水晶。人们还在超高压下合成了金刚石，在高温条件下生长了成分复杂的云母等重要矿物，以补充天然矿物的不足。20世纪50年代。锗、硅单晶的生长成功，促进了半导体技术和电子工业的发展。20世纪60年代，由于研制出红宝石和钇铝石榴石单晶，为激光技术打下了牢固的基础。

晶体生长技术中，坩埚下降法是使用比较多的方法，这种方法的生产效率和单晶产率决定了晶体材料的成本，实现多坩埚晶体生长可用的多坩埚炉的设计是难点。

实用新型内容

为了克服背景技术的不足，本实用新型提供一种多坩埚晶体生长炉，主要解决了现在的晶体生长炉无法多坩埚生长的问题。

本实用新型所采用的技术方案是：

一种多坩埚晶体生长炉，包括炉体，所述炉体内横向设有隔热支撑板，所述隔热支撑板将所述炉体分成互不接触的上炉体和下炉体，所述上炉体内腔设有第一内腔，所述下炉体设有第二内腔，所述第一内腔内设有加热体，所述隔热支撑板上设有隔热安装板，所述隔热安装板上端面设有若干用于坩埚底部安装的安装孔，所述隔热支撑板上设有与所述安装孔对应设置的通孔。

所述隔热支撑板和所述隔热安装板由耐火隔热材料制成。

所述隔热支撑板和所述隔热安装板由莫来石制成。

所述炉体上还设有可开合的上盖。

所述安装孔设有8个。

所述上盖底部设有凸台，所述凸台与所述上炉体内壁卡接配合。

所述加热体为电阻丝加热体。

本实用新型的有益效果是：本实用新型提供一种多坩埚晶体生长炉，该隔热安装板可以安装多个坩埚，实现多坩埚生长，另一方面

可以产生适合晶体生长的温度梯度，得到高质量的晶体。

附图说明

图1为本实用新型一个实施例的剖视示意图。

图2为本实用新型一个实施例的隔热安装板的立体示意图。

具体实施方式