[实用新型]双光源半导体发光器件及双光源半导体发光组件有效
申请号: | 201821282820.4 | 申请日: | 2018-08-09 |
公开(公告)号: | CN208862015U | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 李刚 | 申请(专利权)人: | 深圳大道半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L25/13 |
代理公司: | 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 | 代理人: | 林俭良;王少虹 |
地址: | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双光源 基板 第一表面 光源基板 主焊盘 焊盘 半导体发光器件 辅光源 主光源 半导体发光组件 正极 本实用新型 辅发光元件 主发光元件 负极 导电连接 导热 第二表面 光源 发光 配合 | ||
本实用新型公开了一种双光源半导体发光器件及双光源半导体发光组件,双光源半导体发光器件包括基板、设置在基板第一表面上的至少一个第一主光源和第一辅光源;第一主光源包括第一光源基板、设置在第一光源基板上的至少一第一主发光元件;第一光源基板的第二表面朝向并设置在基板的第一表面上,与基板导热相接;第一光源基板的第一表面设有第一主焊盘和第二主焊盘,第一主发光元件的正极和负极分别与第一主焊盘和第二主焊盘导电连接;第一辅光源包括至少一第一辅发光元件,基板的第一表面设有第一辅焊盘和第二辅焊盘,第一辅发光元件的正极和负极分别与第一辅焊盘和第二辅焊盘导电连接。本实用新型通过主光源和辅光源的配合,增大光源的发光角度。
技术领域
本实用新型涉及半导体发光器件技术领域,尤其涉及一种双光源半导体发光器件及双光源半导体发光组件。
背景技术
随着发光效率的提升和制造成本的下降,半导体发光光源已被广泛应用于背光、显示和照明等领域。半导体发光光源包括有LED、COB、模组、灯板、灯条等多种类型。在不久的将来,半导体发光光源有可能替代传统光源成为普通照明的主要光源。
常见的半导体发光器件结构如图1所示,其包括半导体发光芯片11、荧光粉胶层12、陶瓷基板13、围坝15以及导热柱14。半导体发光芯片11的正极和负极分别与陶瓷基板13上的正极焊盘111和负极焊盘112导电连接,正极焊盘111和负极焊盘112通过设置在陶瓷基板13表面的导电电路与外接正极焊盘113和外接负极焊盘114导电连接。
为了获得360度发光光源,可以在陶瓷基板13的另一面设置荧光粉胶层 12、半导体发光芯片11以及相应的焊盘等,也可以把二片半导体发光光源背靠背贴在一起或贴在导热柱14的正反二面,形成如图1所示的基本结构。
半导体发光芯片11沿180度半圆的发光強度不是均匀的,一般半导体发光芯片11沿中心线向上方向的发光强度最高,亮度最大,然后沿着圆弧向下偏离中心线方向越远,发光强度越低,亮度越小。发光强度降到最大值的一半时与中心线的夹角往往定义为发光角度(如图1中的φ)。通常半导体发光芯片11的发光角度约150度,在半导体发光芯片11四周包裹荧光粉胶层12后的发光角度为115-135度。
从图1可知,即使把二片半导体发光源背靠背放在一起,左右二侧仍然存在光强度偏低的暗区,特别是靠近水平线附近的光强很低,对有光形要求的应用场合,投射面会出现暗区,尽管中心照度足够高,但仍会影响照明效果。
为了获得大的发光面积和发光角度,另一种常见的半导体发光器件如图2 所示,其包括发光芯片21、荧光粉胶层22、金属基板23、绝缘层25、导热柱 24以及围坝26。发光芯片21的正极和负极分别与设置在绝缘层25上的正极焊盘211和负极焊盘212导电连接,正极焊盘211和负极焊盘212通过设置在绝缘层25上的导电电路与设置在绝缘层25上的外接正极焊盘213和外接负极焊盘214导电连接和荧光粉胶层。围坝26处于荧光粉胶层22的外围。
图2所示的半导体发光光源的发光面积较大,发光角度也较大,但单位芯片面积所能工作的功率受到绝缘层导热能力的限制,单位发光面积所能产生的光通量不高,从而限制了图2所示的半导体发光器件的中心亮度,尽管采用图 2所示的半导体发光器件能改善光强分布,减少暗区,但由于中心照度大幅下降,当应用于汽车前大灯、舞台灯、探照灯等产品时,其中心照度严重不足。
因此,由于上述半导体发光器件结构存在本质的缺陷和不足,无法解决半导体发光器件中心照度高和投射区暗区不明显二者兼顾问题,制备的半导体发光器件,特别是应用于汽车前大灯时,存在光形差或中心照度不足等问题。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题在于,提供一种增大发光角度的双光源半导体发光器件及双光源半导体发光组件。
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