[实用新型]一种围坝

说明书

本实用新型属于半导体封装技术领域，公开了一种围坝。该围坝用于芯片封装时芯片与保护玻璃之间的支撑，围坝为矩形框架结构，围坝的内侧拐角向其外侧拐角凹陷形成圆弧状凹口，围坝的内侧面上靠近圆弧状凹口处设置有若干牙齿。该围坝在内侧拐角设置圆弧状凹口，在胶筒在围坝上滚胶后，由于表面张力，胶线会贴合该圆弧状凹口并向内凹陷，避免在拐角处形成胶薄膜，导致形成网状残胶，同时，能够拉长拐角处围坝与芯片的感光区之间的距离，增大胶线空间；还通过设置若干牙齿，减小滚胶时围坝与滚筒的接触面积，进一步避免胶薄膜的产生，并且阻碍胶体流动，有效控制胶线向芯片的感光区扩散，避免溢胶现象。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种围坝。

背景技术

针对CMOS影响传感类芯片，由于芯片表面蓝膜层比较脆弱，感光区容易受到外界环境污染和刮伤，从而影响成像，所以需要在芯片的表面覆盖一层保护玻璃，而玻璃与芯片之间通常通过围坝(即与芯片大小一致的空心围墙)进行支撑。

如图1所示为现有的一种围坝的结构示意图，围坝整体为矩形框架结构(图1中阴影部分为所述围坝)，围坝的内侧光滑，并在拐角处两侧边垂直。在封装时先将围坝粘于芯片上，再使用滚筒在围坝上滚胶，最后将保护玻璃贴于围坝上。这种围坝结构在封装时具有以下缺陷：

1.垂直拐角处面积较大，容易附着较多的胶，且滚胶初始时滚筒与围坝接触易在拐角处产生胶薄膜10，胶薄膜10破裂后会在拐角处产生网状残胶；

2.垂直拐角处相对于芯片的感光区边缘距离较近(芯片的感光区对应图1中虚线框以内的部分)，垂直拐角处本身结构存在聚集效应，胶体在此处易聚集从而造成胶线向硅片的感光区扩散，容易产生溢胶现象。

由于围坝的拐角处产生残胶和溢胶现象，会导致芯片显影不洁，封装质量差。因此，亟需一种能够避免在拐角处产生残胶和溢胶的围坝。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种围坝，能够避免围坝的拐角处产生残胶或溢胶现象。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种围坝，用于芯片封装时芯片与保护玻璃之间的支撑，所述围坝为矩形框架结构，所述围坝的内侧拐角向其外侧拐角凹陷形成圆弧状凹口，所述围坝的内侧面上靠近所述圆弧状凹口处设置有若干牙齿。

作为优选，所述牙齿设置于所述围坝的每个所述内侧面的两端，且每个所述内侧面的中部为平滑表面。

作为优选，所述围坝的内侧面上靠近所述圆弧状凹口处设置有若干齿槽，相邻两个齿槽之间形成一个所述牙齿。

作为优选，所述圆弧状凹口和与其相邻的齿槽之间圆弧过渡。

作为优选，所述齿槽的形状与所述牙齿的形状相同。

作为优选，所述牙齿的形状为等腰三角形。

作为优选，所述牙齿的高b与底长a之比为0.70～0.75。

作为优选，所述牙齿的底长a为70微米，所述牙齿的高长b为50微米。

作为优选，所述牙齿的顶角处圆弧过渡。

作为优选，所述围坝的表面设置有若干条形槽。

本实用新型的有益效果：

该围坝在内侧拐角设置圆弧状凹口，在胶筒在围坝上滚胶后，由于表面张力，胶线会贴合该圆弧状凹口并向内凹陷，避免在拐角处形成胶薄膜，导致形成网状残胶，同时，能够拉长拐角处围坝与芯片的感光区之间的距离，增大胶线空间；还通过设置若干牙齿，减小滚胶时围坝与滚筒的接触面积，进一步避免胶薄膜的产生，并且阻碍胶体流动，有效控制胶线向芯片的感光区扩散，避免溢胶现象。

附图说明