[实用新型]一种用于光强度探测的光电桥

权利要求书

1.一种用于光强度探测的光电桥,其特征在于:包括热敏感线(1),所述热敏感线(1)的左右两侧设置有正/负电极(4)，热敏感线(1)的中部还设置有电极(5)，所述热敏感线(1)上还设置有孔洞(2)，所述孔洞(2)内填充有金属纳米颗粒(3)；所述正/负电极(4)与基准电源的正/负电极电连接，电阻R1、电阻R2串联后两端与所述基准电源正/负电极电连接，检流计(7)的一端与电极(5)电连接，检流计(7)的另一端与电阻R1、电阻R2串联处电连接。

2.如权利要求1所述的一种用于光强度探测的光电桥,其特征在于:所述金属纳米颗粒(3)为金、银形成的纳米颗粒。

3.如权利要求1所述的一种用于光强度探测的光电桥,其特征在于:所述金属纳米颗粒(3)为多种金属组合的层结构，由下及上依次为玻璃层(301)、铬层(302)、锗层(303)、硅层(304)、二氧化钛层(305)、二氟化镁(306)。

4.如权利要求3所述的一种用于光强度探测的光电桥,其特征在于:所述玻璃层(301)的厚度为20～150nm，所述铬层(302)的厚度为150～250nm，所述锗层(303)的厚度为25～45nm，所述硅层(304)的厚度为25～45nm，所述二氧化钛层(305)的厚度为40～60nm，所述二氟化镁(306)的厚度为100～150nm。

5.如权利要求4所述的一种用于光强度探测的光电桥,其特征在于:所述玻璃层(301)的厚度为35nm，所述铬层(302)的厚度为210nm，所述锗层(303)的厚度为35nm，所述硅层(304)的厚度35nm，所述二氧化钛层(305)的厚度为55nm，所述二氟化镁(306)的厚度为120nm。

6.如权利要求3所述的一种用于光强度探测的光电桥,其特征在于:所述铬层(302)还可以是钛、铱、钨、镍、银中的一种或多种组合成的合金。

7.如权利要求1所述的一种用于光强度探测的光电桥，其特征在于：所述热敏感线(1)材料包括VOx、Si、SiGe、YBCO或NiO。

8.如权利要求1所述的一种用于光强度探测的光电桥，其特征在于：所述热敏感线(1)的下方还设置有衬底层(6)。

9.如权利要求8所述的一种用于光强度探测的光电桥，其特征在于：所述衬底层(6)为二氧化硅。