[实用新型]一种用于光强度探测的光电桥

说明书

本实用新型涉及一种用于光强度探测的光电桥,包括热敏感线,所述热敏感线的左右两侧设置有正/负电极，热敏感线的中部还设置有电极，所述热敏感线上还设置有孔洞，所述孔洞内填充有金属纳米颗粒；所述正/负电极与基准电源的正/负电极电连接，电阻R1、电阻R2串联后两端与所述基准电源正/负电极电连接，检流计的一端与电极电连接，检流计的另一端与电阻R1、电阻R2串联处电连接；该用于光强度探测的光电桥，虽然也用到电信号，但通过设置有标准光，利用电桥的原理，可以消除掉因环境因素造成电信号变化所造成的监测误差,使得该用于光强度探测的光电桥不受电信号变化的影响。

技术领域

本发明涉及光强探测技术领域，具体涉及一种用于光强度探测的光电桥。

背景技术

光电探测器的物理效应通常分为光子效应和光热效应，对应的探测器分别称为光子型探测器和光热型探测器。各种光子型探测器的共同特征是采用半导体能带材料，光子能量对探测材料中光电子的产生起直接作用，故光子型探测器存在截止响应频率或波长，且光谱响应限于某一波段，因此不同的材料体系决定了探测器具有不同的响应波长范围，一般难以用于宽谱或多谱段探测。对于光热型探测器，在吸收光辐射能量后，并不直接引起内部电子状态的改变，而是把吸收的光能变为晶格的热运动能量，引起探测元件温度上升，从而引起探测元件的电学性质或其他物理性质发生变化，故光热效应与光子能量的大小没有直接关系，光热型探测器原则上对频率没有选择性。由于红外波段特别是中长波红外以上波段的光热效应相比紫外和可见光更明显，故光热探测器通常用于中长波光学辐射的探测，典型的光热型探测器包括微测辐射热计、热释电探测器和热偶探测器等种类。由于温度升高是热积累的作用，基于光热效应的热探测器一般响应速度较慢，在毫秒量级。

现有的光电探测器，检测光的强度，一般都是将光信号转换为电信号，通过获取电信号的变化，间接的测量光的强度，这种方法虽然可以反映光的强度信息，但是，容易受到环境因素的影响，特别是环境中存在影响电信号的因素，更容易导致光信号监测的误差。

发明内容

针对上述问题，本发明的目的是解决现有光电探测器，在检测光的强度的时候容易受环境影响，导致监测误差的问题。

为此，本发明提供了一种用于光强度探测的光电桥,包括热敏感线,所述热敏感线的左右两侧设置有正/负电极，热敏感线的中部还设置有电极，所述热敏感线上还设置有孔洞，所述孔洞内填充有金属纳米颗粒；所述正/负电极与基准电源的正/负电极电连接，电阻R1、电阻R2串联后两端与所述基准电源正/负电极电连接，检流计的一端与电极电连接，检流计的另一端与电阻R1、电阻R2串联处电连接。

所述金属纳米颗粒为金、银形成的纳米颗粒。

所述金属纳米颗粒为多种金属组合的层结构，由下及上依次为玻璃层铬层、锗层、硅层、二氧化钛层、二氟化镁。

所述玻璃层的厚度为20～150nm，所述铬层的厚度为150～250nm，所述锗层的厚度为25～45nm，所述硅层的厚度为25～45nm，所述二氧化钛层的厚度为40～60nm，所述二氟化镁的厚度为100～150nm。

所述玻璃层的厚度为35nm，所述铬层的厚度为210nm，所述锗层的厚度为35nm，所述硅层的厚度35nm，所述二氧化钛层的厚度为55nm，所述二氟化镁的厚度为120nm。

所述铬层还可以是钛、铱、钨、镍、银中的一种或多种组合成的合金。

所述热敏感线材料包括VOx、Si、SiGe、YBCO或NiO。

所述热敏感线的下方还设置有衬底层。

所述衬底层为二氧化硅。