[实用新型]一种动态随机存储器结构有效
| 申请号： | 201821293772.9 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN209249441U | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/764 | 分类号： | H01L21/764;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 肖冰滨;刘兵 |
| 地址： | 230601 安徽省经济*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 动态随机存储器 位线间隔层 复合电介质层 插塞孔 位元线 字元线 半导体 本实用新型 低介电常数 电介质材料 电容连接线 寄生电容 空气间隔 衬底 | ||
1.一种动态随机存储器结构，其特征在于，包括具有位元线(10)和字元线(12)的半导体衬底(13)、位于所述位元线(10)的两侧以及所述字元线(12)间隔的区域的上方的插塞孔(22)以及设置于所述插塞孔(22)的两侧的插塞隔离墙(21)，在所述插塞隔离墙(21)的侧壁和所述位元线(10)的侧壁形成一复合电介质层，所述复合电介质层包括第一位线间隔层(23)、第二位线间隔层(25)以及位于所述第一位线间隔层(23)和所述第二位线间隔层(25)的空气间隔(28)，在所述第一位线间隔层(23)和所述第二位线间隔层(25)上覆盖一层遮盖层(29)，以气密封闭所述空气间隔(28)。
2.根据权利要求1所述的动态随机存储器结构，其特征在于，所述插塞孔(22)中具有第一插塞(26)和第二插塞(27A)。
3.根据权利要求1所述的动态随机存储器结构，其特征在于，所述位元线(10)包括突出在所述半导体衬底(13)上的位线导体(16)和在所述位线导体(16)上的位线屏蔽(18)，所述半导体衬底(13)的上表面形成有源漏极区保护层(14)和接触掩模层(19)，所述半导体衬底(13)和所述位线导体(16)之间设置有位线接触(15)，所述半导体衬底(13)内形成有隔离结构(11)。
4.一种动态随机存储器结构，其特征在于，包括具有位元线(10)和字元线(12)的半导体衬底(13)、形成在所述半导体衬底(13)上的插塞隔离墙(21)，所述插塞隔离墙(21)位于所述位元线(10)之间且对准在所述字元线(12)的位置上，以形成插塞孔(22)，所述插塞孔(22)阵列配置在所述半导体衬底(13)上，在所述插塞隔离墙(21)的侧壁和所述位元线(10)的侧壁形成一复合电介质层，所述复合电介质层包括第一位线间隔层(23)、第二位线间隔层(25)以及位于所述第一位线间隔层(23)和所述第二位线间隔层(25)的空气间隔(28)，并且依照所述第二位线间隔层(25)的直立壁形状，所述插塞孔(22)连通至所述半导体衬底(13)并以插塞填充，在所述第一位线间隔层(23)和所述第二位线间隔层(25)上覆盖一层遮盖层(29)，以气密封闭所述空气间隔(28)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
