[实用新型]一种用于减少DBC基板单面烧结后翘曲变形的压板装置有效
申请号: | 201821297469.6 | 申请日: | 2018-08-13 |
公开(公告)号: | CN209038703U | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 祝林;贺贤汉;戴洪兴 | 申请(专利权)人: | 上海申和热磁电子有限公司;江苏富乐德半导体科技有限公司 |
主分类号: | B65H23/34 | 分类号: | B65H23/34 |
代理公司: | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人: | 顾兰芳 |
地址: | 200444 上海市宝*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 上压板 驱动机构 压板装置 烧结 陶瓷板 基板单面 翘曲变形 支撑底座 上凹槽 下凹槽 下压板 基板 压板 半导体加工技术 基板施加压力 本实用新型 翘曲变形量 驱动 单面基板 开口向上 开口向下 上陶瓷板 上下运动 减小 下压 | ||
1.一种用于减少DBC基板单面烧结后翘曲变形的压板装置,其特征在于,包括一支撑底座;
还包括一下压板,所述下压板安装在所述支撑底座上,所述下压板上设有一开口向上的下凹槽,所述下凹槽的槽底安装有一下陶瓷板,以所述下陶瓷板的外表面为用于接触DBC基板的接触面;
还包括一上压板,所述上压板设置在所述下压板的正上方,且所述上压板上开设有一开口向下的上凹槽,所述上凹槽的槽底安装有一上陶瓷板,以所述上陶瓷板的外表面为用于接触DBC基板的接触面;
还包括一驱动上压板上下运动的驱动机构,所述驱动机构与所述上压板相连。
2.根据权利要求1所述的一种用于减少DBC基板单面烧结后翘曲变形的压板装置,其特征在于:所述驱动机构是一气缸驱动机构,所述气缸驱动机构包括一气缸活塞杆,所述气缸活塞杆与所述上压板传动连接。
3.根据权利要求2所述的一种用于减少DBC基板单面烧结后翘曲变形的压板装置,其特征在于:所述气缸活塞杆与一传动连杆通过一联轴器相连;
所述上压板的顶部中央安装有一杆体,所述杆体的上端插设在所述传动连杆的下端插口内,且所述传动连杆与所述杆体通过两个螺钉相连;
两个螺钉的中心轴线方向呈90°夹角。
4.根据权利要求1所述的一种用于减少DBC基板单面烧结后翘曲变形的压板装置,其特征在于:所述上压板上开设有用于插入所述上陶瓷板的上插槽,所述上插槽包括分别开设在所述上凹槽左右两侧的上滑槽,所述上滑槽位于靠近所述上凹槽槽底处,所述上插槽的前后两端至少一端为上陶瓷板的插入口;
所述下压板上开设有用于插入所述下陶瓷板的下插槽,所述下插槽包括分别开设在所述下凹槽左右两侧的下滑槽,所述下滑槽位于靠近所述下凹槽槽底处,所述下插槽的前后两端至少一端为下陶瓷板的插入口。
5.根据权利要求1所述的一种用于减少DBC基板单面烧结后翘曲变形的压板装置,其特征在于:所述上凹槽左右方向的宽度为130mm~160mm,高度为4mm~8mm;
所述下凹槽左右方向的宽度为与所述上凹槽左右方向的宽度一致,所述下凹槽的高度与所述上凹槽的高度一致。
6.根据权利要求4所述的一种用于减少DBC基板单面烧结后翘曲变形的压板装置,其特征在于:所述上插槽的高度为1.1mm~1.15mm,所述上陶瓷板的厚度为0.95-1.1mm;所述上滑槽左右方向上的宽度为4mm~8mm;
所述下插槽的高度为1.1mm~1.15mm,所述下陶瓷板的厚度为0.95-1.1mm,所述下滑槽左右方向上的宽度为4mm~8mm。
7.根据权利要求4所述的一种用于减少DBC基板单面烧结后翘曲变形的压板装置,其特征在于:位于上凹槽左右两侧的至少一个上滑槽的断面呈槽口宽度小于槽底宽度的梯形,所述上陶瓷板的断面与所述上插槽的断面相匹配;
位于下凹槽左右两侧的至少一个下滑槽的断面呈槽口宽度小于槽底宽度的梯形,所述下陶瓷板的断面与所述下插槽的断面相匹配。
8.根据权利要求1所述的一种用于减少DBC基板单面烧结后翘曲变形的压板装置,其特征在于:所述支撑底座包括一支撑平台,所述支撑平台与所述下压板通过螺栓相连;
所述下压板的下方还安装有一可调高度的支撑脚,所述支撑脚的下端与所述支撑平台相抵。
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