[实用新型]一种用于减少DBC基板单面烧结后翘曲变形的压板装置有效
申请号: | 201821297469.6 | 申请日: | 2018-08-13 |
公开(公告)号: | CN209038703U | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 祝林;贺贤汉;戴洪兴 | 申请(专利权)人: | 上海申和热磁电子有限公司;江苏富乐德半导体科技有限公司 |
主分类号: | B65H23/34 | 分类号: | B65H23/34 |
代理公司: | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人: | 顾兰芳 |
地址: | 200444 上海市宝*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 上压板 驱动机构 压板装置 烧结 陶瓷板 基板单面 翘曲变形 支撑底座 上凹槽 下凹槽 下压板 基板 压板 半导体加工技术 基板施加压力 本实用新型 翘曲变形量 驱动 单面基板 开口向上 开口向下 上陶瓷板 上下运动 减小 下压 | ||
本实用新型涉及半导体加工技术领域。一种用于减少DBC基板单面烧结后翘曲变形的压板装置,包括一支撑底座;还包括一下压板,下压板安装在支撑底座上,下压板上设有一开口向上的下凹槽,下凹槽的槽底安装有一下陶瓷板,以下陶瓷板的外表面为用于接触DBC基板的接触面;还包括一上压板,上压板设置在下压板的正上方,且上压板上开设有一开口向下的上凹槽,上凹槽的槽底安装有一上陶瓷板,以上陶瓷板的外表面为用于接触DBC基板的接触面;还包括一驱动上压板上下运动的驱动机构,驱动机构与上压板相连。本专利通过压板装置,通过驱动机构驱动上压板下压,进而实现给与DBC基板施加压力,便于减小控制单面基板烧结后翘曲变形量。
技术领域
本实用新型涉及半导体加工技术领域,具体涉及DBC基板制造设备。
背景技术
覆铜陶瓷基板(DBC基板)为双面覆铜,即两面铜片需经两次分别进行烧结。由于铜片与陶瓷热膨胀系数不同,当铜片与陶瓷的厚度匹配相差过大时(厚铜与簿陶瓷搭配),在单面 (第一面铜片)烧结完成后,基板的翘曲变形会很大。
由于烧结工艺的特殊要求,烧结炉炉膛入口都比较窄,使得因翘曲原因烧结第二面铜片时,基板无法进入炉膛。
目前解决这一问题的常用方法是将单面烧结的基板放在平板上用手或用陶瓷板向下压一下,使翘曲变形变小,从而使单面烧结后的基板能进入炉膛。
但这一方法存在不少问题:1)每次下压的压力大小、速度及下压距离无法控制,使得下压后翘曲变形减少量不一致,从而两次烧结后的基板翘曲量也不一致。2)基板受压有时过大使陶瓷产生裂缝,造成基板报废。3)每次受压点位置不相同,因而基板翘曲的形状也可能各不相同。
实用新型内容
针对现有技术存在的问题,本实用新型提供一种用于减少DBC基板单面烧结后翘曲变形的压板装置,以解决上述至少一个技术问题。
本实用新型的技术方案是:一种用于减少DBC基板单面烧结后翘曲变形的压板装置,其特征在于,包括一支撑底座;
还包括一下压板,所述下压板安装在所述支撑底座上,所述下压板上设有一开口向上的下凹槽,所述下凹槽的槽底安装有一下陶瓷板,以所述下陶瓷板的外表面为用于接触DBC基板的接触面;
还包括一上压板,所述上压板设置在所述下压板的正上方,且所述上压板上开设有一开口向下的上凹槽,所述上凹槽的槽底安装有一上陶瓷板,以所述上陶瓷板的外表面为用于接触DBC基板的接触面;
还包括一驱动上压板上下运动的驱动机构,所述驱动机构与所述上压板相连。
本专利通过压板装置,通过驱动机构驱动上压板下压,进而实现给与DBC基板施加压力,便于减小控制单面基板烧结后翘曲变形量,保证基板顺利进入炉膛进行第两次烧结。同时减少因受压过大基板裂缝不良的产生,提升产品的良率。
单面基板受压时是分别与上陶瓷板以及下陶瓷板接触,不会受到金属污染和擦伤。上压板下压时上陶瓷板从单面基板翘曲变形最高点平行往下压,通过控制上压板的运动行程,进而可以有效的控制每次下压后基板变形形状保持相同。
所述驱动机构可以是一气缸驱动机构,所述气缸驱动机构包括一气缸活塞杆,所述气缸活塞杆与所述上压板传动连接。
便于实现气缸驱动上压板的上下运动。
进一步优选为,所述气缸活塞杆与一传动连杆通过一联轴器相连;
所述上压板的顶部中央安装有一杆体,所述杆体的上端插设在所述传动连杆的下端插口内,且所述传动连杆与所述杆体通过两个螺钉相连;
两个螺钉的中心轴线方向呈90°夹角。
便于实现驱动机构带动上压板运动。
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