[实用新型]灵敏放大器电路及存储器有效
| 申请号： | 201821331235.9 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN208596548U | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06;G11C7/08 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王卫忠;袁礼君 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体开关元件 灵敏放大器电路 数据线 位线 第二控制信号 第一控制信号 存储器 第一数据 一端连接 第一端 控制端 灵敏放大器 传输 位线耦合 整体感 噪声 | ||
1.一种灵敏放大器电路，其特征在于，包括：
灵敏放大器，所述灵敏放大器的一端连接第一数据线，其另一端连接第二数据线；
第一半导体开关元件，所述第一半导体开关元件的第一端连接第一位线，第二端连接所述第一数据线，控制端接收第一控制信号；所述第一半导体开关元件根据所述第一控制信号以及所述第一位线传输的信号改变开启程度；
第二半导体开关元件，所述第二半导体开关元件的第一端连接第二位线，第二端连接所述第二数据线，控制端接收第二控制信号；所述第二半导体开关元件根据所述第二控制信号以及所述第二数据线传输的信号改变开启程度。
2.根据权利要求1所述的灵敏放大器电路，其特征在于，所述第一控制信号和所述第二控制信号为同一信号。
3.根据权利要求1所述的灵敏放大器电路，其特征在于，所述第一半导体开关元件包括第一晶体管，所述第一晶体管的第一极连接所述第一位线，第二极连接所述第一数据线，栅极接收所述第一控制信号。
4.根据权利要求3所述的灵敏放大器电路，其特征在于，所述第一晶体管为NMOS晶体管。
5.根据权利要求1所述的灵敏放大器电路，其特征在于，所述第二半导体开关元件包括第二晶体管，所述第二晶体管的第一极连接所述第二数据线，第二极连接所述第二位线，栅极接收所述第二控制信号。
6.根据权利要求5所述的灵敏放大器电路，其特征在于，所述第二晶体管为NMOS晶体管。
7.根据权利要求1所述的灵敏放大器电路，其特征在于，所述灵敏放大器包括：
预充电电路，所述预充电电路分别与所述第一数据线和所述第二数据线相连，所述预充电电路的控制端接收一均衡控制信号；
感应放大电路，所述感应放大电路分别与所述第一数据线和所述第二数据线相连，所述感应放大电路的两个感应信号输入端分别接收第一感应信号和第二感应信号。
8.根据权利要求7所述的灵敏放大器电路，其特征在于，所述预充电电路包括：
第三晶体管，所述第三晶体管的第一极连接所述第一数据线，第二极连接所述第二数据线，栅极接收所述均衡控制信号；
第四晶体管，所述第四晶体管的第一极连接所述第一数据线，第二极接收一充电信号，栅极接收所述均衡控制信号；
第五晶体管，所述第五晶体管的第一极连接所述第二数据线，第二极接收所述充电信号，栅极接收所述均衡控制信号。
9.根据权利要求8所述的灵敏放大器电路，其特征在于，所述第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管均为NMOS晶体管。
10.根据权利要求7所述的灵敏放大器电路，其特征在于，所述感应放大电路包括：
第六晶体管，所述第六晶体管的第一极连接所述第二数据线，第二极接收所述第一感应信号，栅极连接所述第一数据线；
第七晶体管，所述第七晶体管的第一极连接所述第一数据线，第二极接收所述第一感应信号，栅极连接所述第二数据线；
第八晶体管，所述第八晶体管的第一极连接所述第二数据线，第二极接收所述第二感应信号，栅极连接所述第一数据线；
第九晶体管，所述第九晶体管的第一极连接所述第一数据线，第二极接收所述第二感应信号，栅极连接所述第二数据线。
11.根据权利要求10所述的灵敏放大器电路，其特征在于，所述第六晶体管和所述第七晶体管为PMOS晶体管，所述第八晶体管和所述第九晶体管为NMOS晶体管。
12.一种存储器，其特征在于，包括多个如权利要求1-11中任意一项所述的灵敏放大器电路。
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