[实用新型]灵敏放大器电路及存储器

说明书

本公开涉及一种灵敏放大器电路及存储器，本公开实施例提供的灵敏放大器电路包括灵敏放大器，其一端连接第一数据线，其另一端连接第二数据线；第一半导体开关元件，其第一端连接第一位线，第二端连接所述第一数据线，控制端接收第一控制信号；第一半导体开关元件根据第一控制信号以及第一位线传输的信号改变开启程度；第二半导体开关元件，其第一端连接第二位线，第二端连接第二数据线，控制端接收第二控制信号；第二半导体开关元件根据第二控制信号以及所述第二数据线传输的信号改变开启程度。本公开实施例提供的灵敏放大器电路可以减少位线耦合噪声，提高整体感测效能。

技术领域

本公开涉及电学技术领域，具体涉及一种灵敏放大器电路及存储器。

背景技术

灵敏放大器(Sense Amplifier，简称SA)是应用于半导体存储器中的一种功能器件，在合适的时间点下开启灵敏放大器可以对存储单元中存储的微弱信号进行放大，从而使得存储单元中存储的数据可以被正确地写入或者读出。

参考图1A所示，传统的灵敏放大器在进行感测时，由于邻近的位线(Bit Line)之间存在耦合电容C_BL-BL，目标位线BL_T的感测信号会遭受到邻近位线BL_N1以及邻近位线BL_N2的感测信号影响，由此产生的如图1B所示的非理想效应称为位线耦合噪声(Bit LineCoupling Noise)。如果目标灵敏放大器SA_T与邻近灵敏放大器SA_N1或者邻近灵敏放大器SA_N2的感测信号为反向，那么将会产生最强烈的耦合效应，使得目标灵敏放大器SA_T的感测效能弱化，严重时将会造成感测误动作。

由此可见，目前亟需一种新型的灵敏放大器电路，以便克服相关技术中存在的缺陷。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种灵敏放大器电路及存储器，进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的位线耦合效应强、弱化灵敏放大器感测效能的技术问题。

根据本公开的一个方面，提供一种灵敏放大器电路，其特殊之处在于，包括：

灵敏放大器，所述灵敏放大器的一端连接第一数据线，其另一端连接第二数据线；

第一半导体开关元件，所述第一半导体开关元件的第一端连接第一位线，第二端连接所述第一数据线，控制端接收第一控制信号；所述第一半导体开关元件根据所述第一控制信号以及所述第一位线传输的信号改变开启程度；

第二半导体开关元件，所述第二半导体开关元件的第一端连接第二位线，第二端连接所述第二数据线，控制端接收第二控制信号；所述第二半导体开关元件根据所述第二控制信号以及所述第二数据线传输的信号改变开启程度。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述第一控制信号和所述第二控制信号为同一信号。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述第一半导体开关元件包括第一晶体管，所述第一晶体管的第一极连接所述第一位线，第二极连接所述第一数据线，栅极接收所述第一控制信号。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述第一晶体管为NMOS晶体管。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述第二半导体开关元件包括第二晶体管，所述第二晶体管的第一极连接所述第二数据线，第二极连接所述第二位线，栅极接收所述第二控制信号。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述第二晶体管为NMOS晶体管。

在本公开的一种示例性实施方式中，所述灵敏放大器包括：

预充电电路，所述预充电电路分别与所述第一数据线和所述第二数据线相连，所述预充电电路的控制端接收一均衡控制信号；