[实用新型]一种大规格晶片的清洗装置有效

专利信息
申请号: 201821331392.X 申请日: 2018-08-17
公开(公告)号: CN208879228U 公开(公告)日: 2019-05-21
发明(设计)人: 张帮岭;董振峰 申请(专利权)人: 铜陵晶越电子有限公司
主分类号: B08B3/12 分类号: B08B3/12;H01L21/67
代理公司: 铜陵市天成专利事务所(普通合伙) 34105 代理人: 范智强
地址: 244000 安徽省铜陵市经*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
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【说明书】:

实用新型公开了一种大规格晶片的清洗装置,包括工作台和超声波发生器,所述工作台内设有第一清洗槽和第二清洗槽,所述第一清洗槽的深度大于第二清洗槽,所述第一清洗槽的宽度小于第二清洗槽;所述第二清洗槽的槽底一侧设有定位槽;所述工作台上设有底座,所述底座位于定位槽一侧,所述底座上固接有固定杆。本结构的大规格晶片的清洗装置有效避免大规格晶片在清洗过程中的叠加碰撞和摩擦的问题,使得大规格的晶片在清洗过程中能够有效避免破碎,提高成品率。本实用新型制作工艺简单,材料成本较低,适合大批量生产使用。

技术领域

本实用新型涉及晶片加工领域,尤其涉及大规格频率晶片研磨加工后有效去除晶片表面污渍,降低清洗造成外观不良,提高合格率的一种清洗装置。

背景技术

在SMD方片的研磨加工过程中,为了提高效率,采用了一种大片的工艺29.5*25.7mm, 采用大尺寸晶片研磨,可减少原材料的投入,增加成品产出;同时很多程度上提高了劳动效率,有效降低生产成本,使企业更具有市场竞争力。大规格晶片研磨显而易见势在必行,但原来8*26.5mm方片是放在塑料筐中采用超声波清洗,现在继续使用该方法清洗大片就会产生大量的破损且无法清洗干净,现行工艺清洗装置会造成大规格晶片外观不良率较高。

现有技术中,申请号为CN201720497475.5公开了一种清洗大尺寸石英晶片的清洗装置,它包括清洗槽以及设置在所述清洗槽内的超声波发生器,所述清洗槽内设有清洗架,所述清洗架连接有使所述清洗架上下往复运动的驱动装置,所述清洗架内放置有用于盛放石英晶片的物料架。该清洗大尺寸石英晶片的清洗装置具有省时省力、实用性强、清洗效率高和清洗效果好的优点。该方案中盛放石英晶片的物料架,对于石英晶片的固定效果差,容易出现叠加碰撞和摩擦,从而破损的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是解决现有技术的不足,提供一种大规格晶片的清洗装置,确保大规格频率晶片研磨加工后有效去除晶片表面污渍,杜绝因清洗而造成外观不良的问题。

本实用新型采用的技术方案是:一种大规格晶片的清洗装置,包括工作台和超声波发生器,所述工作台内设有第一清洗槽和第二清洗槽,所述第一清洗槽的深度大于第二清洗槽,所述第一清洗槽的宽度小于第二清洗槽;所述第二清洗槽的槽底一侧设有定位槽;所述工作台上设有底座,所述底座位于定位槽一侧,所述底座上固接有固定杆。

作为本实用新型的进一步改进,所述第二清洗槽的两侧分别设有限位槽,所述定位槽位于限位槽内。

作为本实用新型的更进一步改进,所述定位槽呈倾斜状。

本实用新型采用的有益效果是:本结构的大规格晶片的清洗装置有效避免大规格晶片在清洗过程中的叠加碰撞和摩擦的问题,使得大规格的晶片在清洗过程中能够有效避免破碎,提高成品率。本实用新型制作工艺简单,材料成本较低,适合大批量生产使用。

附图说明

图1为本实用新型示意图。

图2为本实用新型俯视图。

图3为本实用新型侧视图。

图中所示:1 工作台,2 第一清洗槽,3 第二清洗槽,4 限位槽,5 底座,6 固定杆,7 定位槽。

具体实施方式

下面结合图1至图3,对本实用新型做进一步的说明。

如图所示,一种大规格晶片的清洗装置,包括工作台1和超声波发生器,所述工作台1内设有第一清洗槽2和第二清洗槽3,所述第一清洗槽2的深度大于第二清洗槽3,所述第一清洗槽2的宽度小于第二清洗槽3;所述第二清洗槽3的槽底一侧设有定位槽7;所述工作台1上设有底座5,所述底座5位于定位槽7一侧,所述底座5上固接有固定杆6。

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