[实用新型]一种过流保护电路

权利要求书

1.一种过流保护电路，其特征在于，包括保护电路本体、逻辑控制电路和导通检测电路，所述保护电路本体包括电流驱动件和与电流驱动件相连的电流检测模块，所述电流驱动件和电流检测模块均接一集成电路管脚，且所述电流驱动件、电流检测模块和导通检测电路均接同一控制端，所述电流检测模块在检测流过集成电路管脚的电流大于其内设定阈值后触发过流保护；所述电流检测模块和导通检测电路的输出端均接入到逻辑控制电路的输入端，所述逻辑控制电路根据所述电流检测模块和导通检测电路的输入，输出相应的控制电平去控制芯片触发或不触发过流保护。

2.根据权利要求1所述的过流保护电路，其特征在于，所述电流驱动件为第一场效应管，其栅极接所述控制端。

3.根据权利要求2所述的过流保护电路，其特征在于，所述电流检测模块包括第二场效应管、与所述第二场效应管串联的第一负载和第一比较器，所述第二场效应管的栅极接所述控制端，所述第一比较器的两个输入端分别接所述第一负载的两端，用于检测流过所述第一负载的电流大小，输出端与逻辑控制电路的输入端相连。

4.根据权利要求3所述的过流保护电路，其特征在于，所述导通检测电路包括第三场效应管、与第三场效应管串联的第二负载和第二比较器，所述第三场效应管的栅极接所述控制端，所述第二比较器的两个输入端中，其中一端接所述第二负载与第三场效应管之间，另一端接一参考电压，且所述第二比较器的输出端与逻辑控制电路的输入端相连。

5.根据权利要求4所述的过流保护电路，其特征在于，所述第一、第二和第三场效应管至少选为PMOS管或NMOS管。

6.根据权利要求4或5所述的过流保护电路，其特征在于，所述第一负载和第二负载至少选为电阻或MOS管。

7.根据权利要求5所述的过流保护电路，其特征在于，所述第一、第二和第三场效应管为PMOS管时，所述第一、第二和第三场效应管的源极均接电源电压，栅极接所述控制端，且所述第一场效应管的漏极接所述集成电路管脚，所述第二场效应管的漏极通过第一负载接所述集成电路管脚，所述第三场效应管的漏极通过第二负载接地。

8.根据权利要求5所述的过流保护电路，其特征在于，所述第一、第二和第三场效应管为NMOS管时，所述第一、第二和第三场效应管的源极均接地，栅极接所述控制端，且所述第一场效应管的漏极接所述集成电路管脚，所述第二场效应管的漏极通过第一负载接所述集成电路管脚，所述第三场效应管的漏极通过第二负载接电源电压。

9.根据权利要求7所述的过流保护电路，其特征在于，所述第二比较器输出的控制电平为低电平，所述逻辑控制电路不触发过流保护；反之，所述第二比较器输出的控制电平为高电平，所述逻辑控制电路容许触发过流保护。