[实用新型]一种过流保护电路

说明书

本实用新型揭示了一种过流保护电路，包括保护电路本体和导通检测电路，导通检测电路用于检测保护电路本体中相关MOS管的导通情况，根据检测结果控制保护电路本体是否触发过流保护机制。本实用新型可以解决传统过流保护存在时间上的盲区问题。

技术领域

本实用新型涉及一种过流保护技术，尤其是涉及一种反应速度快、保护效果较佳的过流保护电路。

背景技术

某些集成电路管脚容易发生误操作或其它原因导致管脚通过的电流过大，从而导致不良后果，比如对芯片或系统造成损伤。所以，一些集成电路管脚，特别是可能通过大电流的管脚需要增加过流保护电路。

过流保护电路的作用是当电流大到一定值后采取一定措施来保护电路或系统。一定措施包括但不限于关闭芯片管脚或系统、重新启动芯片或系统、一定时间或者故障排除后管脚恢复正常的工作状态等。

图1为传统的过流保护电路示意图。其原理是：PMOS管P1为主要的大电流驱动管，PMOS管P2、电阻R1、比较器COMP1组成电流检测模块。当集成电路管脚Y1正常开启时，控制端A为低电平，PMOS管P1及PMOS管P2导通。如果集成电路管脚Y1端接负载，就会有电流从电源VDD端经过PMOS管P1及PMOS管P2流向管脚Y1端。流过PMOS管P1和PMOS管P2的电流大小和他们的沟道宽长比有一个近似的正比关系，流过PMOS管P2和电阻R1的电流相同，所以检测电阻R1两端的电压就可以知道流过PMOS管P1和PMOS管P2的电流大小，当电阻R1两端的电压大于某个阈值通过比较器COMP1的输出端Y2就可以触发保护机制。

但上述传统的过流保护电路存在以下缺点：当控制端A不是完全的低电平而处于某个特定的电压范围时，PMOS管P1及PMOS管P2没有完全导通，这时集成电路管脚Y1端如接一定范围的负载，会使流过PMOS管P2的电流增大，如果增大到使R1两端的电压达到比较器COMP1的阈值，则会使比较器的输出Y2误触发保护机制。

为了解决误保护问题，传统过流保护电路一般外加延迟电路控制来避免此情况，具体原理是当控制端A由高电平变为低电平时，增加一个延迟电路，使控制端A由高电平完全变为低电平这段时间，比较器COMP1的输出Y2不能触发保护机制。增加的延迟电路，为了可靠性考虑，一般此延迟电路的延迟时间远大于控制端A由高电平完全变为低电平的时间。而在控制端A由高电平完全变为低电平这个时刻到比较器COMP1的输出Y2能够触发保护机制这段时间是没有过流保护功能的，存在过流保护功能时间上的盲区，特别是对过流保护响应时间要求很短的应用场合，更是存在很大的隐患。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术存在过流保护功能时间上的盲区的缺陷，提供一种新型的过流保护电路。

为实现上述目的，本实用新型提出如下技术方案：一种过流保护电路，包括保护电路本体、逻辑控制电路和导通检测电路，所述保护电路本体包括电流驱动件和与电流驱动件相连的电流检测模块，所述电流驱动件和电流检测模块均接一集成电路管脚，且所述电流驱动件、电流检测模块和导通检测电路均接同一控制端，所述电流检测模块在检测流过集成电路管脚的电流大于其内设定阈值后触发过流保护；所述电流检测模块和导通检测电路的输出端均接入到逻辑控制电路的输入端，所述逻辑控制电路根据所述电流检测模块和导通检测电路的输入，输出相应的控制电平，去控制芯片触发或不触发过流保护。

优选地，所述电流驱动件为第一场效应管，其栅极接所述控制端。

优选地，所述电流检测模块包括第二场效应管、与所述第二场效应管串联的第一负载和第一比较器，所述第二场效应管的栅极接所述控制端，所述第一比较器的两个输入端分别接所述第一负载的两端，用于检测流过所述第一负载的电流大小，输出端与逻辑控制电路的输入端相连。