[实用新型]一种单片清洗的单晶硅片清洗装置

说明书

本实用新型公开了一种单片清洗的单晶硅片清洗装置，包括清洗槽，所述清洗槽内设有清洗支架，清洗支架包括底板和侧板，底板的前后两侧固连两个侧板，底板与两个侧板构成一个长条形的滑道，侧板的底部与底板固连，两个侧板和底板的中间部分均开有通孔，清洗支架的中间部分的上方设有喷水管，喷水管的底部设有三个喷水头，喷水头对准底板的中间部位；清洗支架的右侧设有上料机构；该单片清洗的单晶硅片清洗装置利用滑道使单晶硅片排列逐个经过喷水头冲洗，避免重叠，清洗效率高。

技术领域

本实用新型涉及单晶硅片加工技术领域，尤其是一种单片清洗的单晶硅片清洗装置。

背景技术

单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料，随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加，单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。

单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸(300毫米)及18英寸(450毫米)等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体生长方法的不同，分为直拉法(CZ)、区熔法(FZ)和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材，外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在Φ3～8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品，目前直径可控制在Φ3～6英寸。外延片主要用于集成电路领域。

现有技术中单晶硅片切割抛光后需要清洗表面污垢，现有的清洗设备简单的将单晶硅片放入放入水槽中冲洗，导致单晶硅片重叠，清洗效率低。

实用新型内容

本实用新型旨在提供一种不会导致单晶硅片重叠的单片清洗的单晶硅片清洗装置。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种单片清洗的单晶硅片清洗装置，包括清洗槽，所述清洗槽内设有清洗支架，清洗支架包括底板和侧板，底板的前后两侧固连两个侧板，底板与两个侧板构成一个长条形的滑道，侧板的底部与底板固连，两个侧板和底板的中间部分均开有通孔，清洗支架的中间部分的上方设有喷水管，喷水管的底部设有三个喷水头，喷水头对准底板的中间部位；清洗支架的右侧设有上料机构，上料机构包括推杆，推杆的左端插入清洗支架的右端，推杆的底部通过滑块安装于滑轨上，滑轨的底部固定安装于底座上，推杆的右端与第二连杆的一端铰接，第二连杆的另一端与第一连杆的一端铰接，第一连杆的另一端固定连接电机的输出轴，电机通过电机座安装于底座上。

作为本实用新型的进一步方案：所述侧板和底板开有通孔部分的宽度为单晶硅片的直径的1.2倍。

作为本实用新型的进一步方案：所述侧板的内壁上覆盖缓冲层，缓冲层的材料为橡胶。

作为本实用新型的进一步方案：所述喷水管通过管道和水泵连接清洗液槽。

作为本实用新型的进一步方案：所述清洗支架的上方的喷水管的底部设有八个喷水头，侧板和底板开有通孔部分的宽度为单晶硅片的直径的3倍。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该单片清洗的单晶硅片清洗装置利用滑道使单晶硅片排列逐个经过喷水头冲洗，避免重叠，清洗效率高，避免单晶硅片之间的摩擦导致产品质量下降，值得大力推广。

附图说明

图1为实施例一中本实用新型的结构示意图；

图2为实施例一中本实用新型的清洗支架的俯视图；

图3为实施例二中本实用新型的结构示意图。

具体实施方式