[实用新型]宽沟槽栅IGBT芯片有效
| 申请号： | 201821367528.2 | 申请日： | 2018-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN208538866U | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 关仕汉;迟晓丽 | 申请（专利权）人： | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 耿霞;程强强 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 宽沟槽 多晶硅 本实用新型 内氧化层 绝缘物 衬底 半导体技术领域 电导调制 开关频率 开关损耗 米勒电容 内部填充 通态功耗 外侧设置 沟槽式 集电极 上表面 电容 侧壁 减小 内壁 | ||
1.一种宽沟槽栅IGBT芯片，包括IGBT芯片本体，IGBT芯片本体包括N-型衬底（7），其特征在于，N-型衬底（7）的上表面开设有多个宽沟槽（13），宽沟槽（13）的内部填充中部绝缘物（11），宽沟槽（13）的内壁设置沟槽内氧化层（3），沟槽内氧化层（3）的侧壁外侧设置多晶硅墙（5），所述中部绝缘物（11）位于宽沟槽（13）内的多晶硅墙（5）之间。
2.根据权利要求1所述的宽沟槽栅IGBT芯片，其特征在于， N-型衬底（7）的底部依次设置有N型电场中止层（8）、P型注入区（9），在P型注入区（9）的下部设置底层金属层（10）并向外引出IGBT芯片的集电极，相邻的两个宽沟槽（13）之间自上而下依次设置N+型源区（6）和P型基区（12）形成MOS结构，在MOS结构上设置顶层金属层（1），并通过开设接触孔（4）引出IGBT芯片的发射极。
3.根据权利要求1所述的宽沟槽栅IGBT芯片，其特征在于，多晶硅墙（5）向外引出IGBT芯片的栅极。
4.根据权利要求1或3所述的宽沟槽栅IGBT芯片，其特征在于，多晶硅墙（5）采用多晶硅（15）制成。
5.根据权利要求1所述的宽沟槽栅IGBT芯片，其特征在于，宽沟槽（13）的宽度为1-10μm。
6.根据权利要求1或5所述的宽沟槽栅IGBT芯片，其特征在于，宽沟槽（13）中的中部绝缘物（11）为氧化硅或BPSG绝缘材料。
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