[实用新型]静电放电保护电路及显示装置有效

专利信息
申请号: 201821413041.3 申请日: 2018-08-30
公开(公告)号: CN208622722U 公开(公告)日: 2019-03-19
发明(设计)人: 龙春平 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L29/786;H01L21/336
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;张博
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 本实用新型 保护信号 沟道 静电放电保护电路 方向平行 显示装置 抵抗能力 放电线路 宽长比 延伸
【权利要求书】:

1.一种静电放电保护电路,其特征在于,包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管设置于待保护信号线与放电线路之间,所述薄膜晶体管的沟道长度方向与待保护信号线的延伸方向平行。

2.根据权利要求1所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述薄膜晶体管的沟道宽长比小于0.2。

3.根据权利要求2所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述待保护信号线为数据线或栅线。

4.根据权利要求2所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述放电线路包括第一放电线和第二放电线,

所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第一放电线电连接,所述第一薄膜晶体管的源极和栅极与所述待保护信号线电连接;

所述第二薄膜晶体管的漏极与待保护信号线电连接,所述第二薄膜晶体管的源极和栅极与所述第二放电线电连接。

5.根据权利要求4所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述第一放电线和所述第二放电线之间通过一连接线短接。

6.根据权利要求4所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述第一放电线和所述第二放电线与所述待保护信号线相交设置,且所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管设置于所述第一放电线和所述第二放电线之间。

7.根据权利要求6所述的静电放电保护电路,其特征在于,并排或并列设置的所述待保护信号线中具有相邻的第一待保护信号线和第二待保护信号线,所述第一待保护信号线通过薄膜晶体管连接有第一放电线和第二放电线,所述第二待保护信号线通过薄膜晶体管连接有第三放电线和第四放电线,所述第一放电线、所述第二放电线、所述第三放电线、所述第四放电线通过一连接线短接,其中,所述第二放电线与第三放电线为同一线路。

8.根据权利要求7所述的静电放电保护电路,其特征在于,与所述第一待保护信号线连接的薄膜晶体管、和与所述第二待保护信号线连接的薄膜晶体管沿着所述待保护信号线的延伸方向成列向设置。

9.根据权利要求2所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述放电线路包括第五放电线,

所述第一薄膜晶体管的栅极和源极与待保护信号线电连接,所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第二薄膜晶体管的栅极和源极电连接,所述第二薄膜晶体管的漏极与待保护信号线电连接,所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第五放电线电连接。

10.根据权利要求9所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述并排或并列设置的所述待保护信号线中具有相邻的第一待保护信号线和第二待保护信号线,所述第五放电线的两侧分别设置与所述第一待保护信号线电连接的薄膜晶体管和与所述第二待保护信号线电连接的薄膜晶体管。

11.根据权利要求10所述的静电放电保护电路,其特征在于,与所述第一待保护信号线连接的薄膜晶体管、和与所述第二待保护信号线连接的薄膜晶体管沿着所述待保护信号线的延伸方向成列向设置。

12.根据权利要求1所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述薄膜晶体管的有源层采用氧化物半导体制成。

13.根据权利要求1所述的静电放电保护电路,其特征在于,所述薄膜晶体管的沟道上设置有绝缘薄膜。

14.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-13任一项所述的静电放电保护电路。

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