[实用新型]静电放电保护电路及显示装置

说明书

本实用新型涉及一种静电放电保护电路，包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置于待保护信号线与放电线路之间，所述薄膜晶体管的沟道长度方向与待保护信号线的延伸方向平行。本实用新型还涉及一种显示装置。本实用新型的有益效果是：所述薄膜晶体管的沟道长度方向与待保护信号线的延伸方向平行，可以增长TFT的沟道的长度，降低TFT的宽长比，从而增强ESD的抵抗能力。

技术领域

本实用新型涉及显示产品制作技术领域，尤其涉及一种静电放电保护电路及显示装置。

背景技术

显示装置已被大量地用作于手机、笔记本电脑、个人电脑及个人数字助理等消费电子产品的显示屏幕。显示装置一般包括有源矩阵阵列基板和彩膜基板，或者上基板。在阵列基板制造过程，由于等离子体沉积、刻蚀和摩擦等工艺容易产生静电积累，或者在使用过程中产生静电，导致在阵列基板上发生静电击穿和静电损伤，产生不良。

静电放电(Electro-Static Discharge，ESD)保护电路分布于面板(Panel)的四周，是显示装置的重要组成部分，可以保证显示装置在生产、运输及工作过程中免受静电伤害。Electro-Static Discharge(ESD)结构内的薄膜晶体管一般设计成较长的沟道和较低的沟道宽长比，增强ESD的抵抗能力，但是，薄膜晶体管的沟道方向一般是与数据线或栅线的延伸方向垂直，设置薄膜晶体管的空间有限，限制了沟道的长度，自然限制了ESD的抵抗能力。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种静电放电保护电路及显示装置，解决TFT沟道长度受限以至于ESD抵抗能力不高的问题。

为了达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种静电放电保护电路，包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置于待保护信号线与提供保护的放电线路之间，所述薄膜晶体管的沟道长度方向与待保护信号线的延伸方向平行。

进一步的，所述薄膜晶体管的沟道宽长比小于0.2。

进一步的，待保护信号线为数据线或栅线。

进一步的，所述薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述放电线路包括第一放电线和第二放电线，

所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第一放电线电连接，所述第一薄膜晶体管的源极和栅极与待保护信号线电连接；

所述第二薄膜晶体管的漏极与待保护信号线电连接，所述第二薄膜晶体管的源极和栅极与所述第二放电线电连接。

进一步的，所述第一放电线和所述第二放电线之间通过一连接线短接。

进一步的，所述第一放电线和所述第二放电线与待保护信号线相交设置，且所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管设置于所述第一放电线和所述第二放电线之间。

进一步的，并排或并列设置的待保护信号线中具有相邻的第一待保护信号线和第二待保护信号线，所述第一待保护信号线通过薄膜晶体管连接有第一放电线和第二放电线，所述第二待保护信号线通过薄膜晶体管连接有第三放电线和第四放电线，所述第一放电线、所述第二放电线、所述第三放电线、所述第四放电线通过一连接线短接，其中，所述第二放电线与第三放电线为同一线路。

进一步的，与所述第一待保护信号线连接的薄膜晶体管、和与所述第二待保护信号线连接的薄膜晶体管沿着所述待保护信号线的延伸方向成列向设置。

进一步的，所述薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述放电线路包括第五放电线，

所述第一薄膜晶体管的栅极和源极与待保护信号线电连接，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第二薄膜晶体管的栅极和源极电连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与待保护信号线电连接，所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第五放电线电连接。