[实用新型]一种氮化镓微波集成电路脉冲调制电路有效
| 申请号： | 201821424527.7 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN208608971U | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 姜世君 | 申请（专利权）人： | 成都天箭科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K5/00 | 分类号： | H03K5/00 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 马林中 |
| 地址： | 610041 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率放大模块 脉冲调制电路 本实用新型 半桥 微波集成电路 氮化镓 漏极 发射射频信号 电源电压 调制脉冲 工作效率 源极接地 关断 拖尾 源极 转换 | ||
1.一种氮化镓微波集成电路脉冲调制电路，包括MOSFET驱动器和与MOSFET连接的调制脉冲，其特征在于：所述MOSFET驱动器为半桥MOSFET驱动器，所述半桥MOSFET驱动器分别连接有MOSFET管A和MOSFET管B，MOSFET管A和MOSFET管B的栅极分别与半桥MOSFET驱动器连接，其中MOSFET管A的漏极连接有电源电压VDD，源极分别与功率放大模块和MOSFET管B的漏极连接，MOSFET管B的源极接地。
2.根据权利要求1所述的一种氮化镓微波集成电路脉冲调制电路，其特征在于：所述半桥MOSFET驱动器的型号为MIC4102YM，半桥MOSFET驱动器的1脚与6脚连接并且连接有+10V电压，调制脉冲与半桥MOSFET驱动器的5脚连接，半桥MOSFET驱动器的7脚接地；
半桥MOSFET驱动器的3脚与型号为SQ4946AEY的MOSFET管A的栅极连接，并且还连接有电阻R2，电阻R2的另一端与半桥MOSFET驱动器的4脚连接并且还连接有电阻R3，电阻R3的另一端与半桥MOSFET驱动器的8脚连接，半桥MOSFET驱动器的2脚与4脚之间串联有自举电容C3，半桥MOSFET驱动器的8脚与型号为Si2392ADS的MOSFET管B的栅极连接，MOSFET管B的漏极与半桥MOSFET驱动器的4脚连接。
3.根据权利要求1或2所述的一种氮化镓微波集成电路脉冲调制电路，其特征在于：所述MOSFET管A和MOSFET管B均为N沟道MOSFET管。
4.根据权利要求1所述的一种氮化镓微波集成电路脉冲调制电路，其特征在于：所述MOSFET管A的漏极连接有储能电容模块，所述储能电容模块包括一个或多个相互并联的多层瓷片电容。
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