[实用新型]一种氮化镓微波集成电路脉冲调制电路

说明书

本实用新型公开了一种氮化镓微波集成电路脉冲调制电路，涉及脉冲调制电路技术领域，本实用新型包括MOSFET驱动器和与MOSFET连接的调制脉冲，所述MOSFET驱动器为半桥MOSFET驱动器，所述半桥MOSFET驱动器分别连接有MOSFET管A和MOSFET管B，MOSFET管A和MOSFET管B的栅极分别与半桥MOSFET驱动器连接，其中MOSFET管A的漏极连接有电源电压VDD，源极分别与功率放大模块和MOSFET管B的漏极连接，MOSFET管B的源极接地，本实用新型能够确保功率放大模块的工作状态的迅速转换，避免拖尾，提高了发射射频信号关断比，提高了功率放大模块的工作速度，使得功率放大模块的工作效率得到保障。

技术领域

本实用新型涉及脉冲调制电路技术领域，更具体的是涉及一种氮化镓微波集成电路脉冲调制电路。

背景技术

目前，雷达系统已广泛应用在国防和民用产品中，对人们日常生活产生深远的影响，脉冲功率放大器是雷达系统的关键模块，决定了整个系统的性能，它是指在控制信号的作用下输出间断射频信号的功率放大器，随着雷达、通信技术的不断提高，要求固态功放在脉冲工作状态时，具有高的发射射频信号的关断比和功放工作效率。

脉冲功率放大器电路中，脉冲调制器电路的输入脉冲信号包含高电平和低电平，当脉冲信号为高电平时，脉冲功率放大器处于发射状态；当脉冲信号为低电平时，脉冲功率放大器处于关闭状态，将功率放大器简化成一个场效应管，脉冲调制器的实现方式包括栅极调制和漏极调制。

传统的漏极调制脉冲功率放大器一般包括脉冲调制器电路和功率放大器电路两个相对独立的模块，脉冲调制电路由单晶体管实现，脉冲信号控制晶体管的导通和关断，从而控制功率放大器的工作状态，但由于现有的脉冲调制器电路由单晶体管实现，容易导致发射射频信号关断比较小，使得功率放大器电路工作状态转换存在延迟，工作速度和工作效率得不到保障。

实用新型内容

本实用新型的目的在于：为了解决现有的脉冲调制器电路由单晶体管实现，容易导致发射射频信号关断比较小，使得功率放大器电路工作状态转换存在延迟，工作速度和工作效率得不到保障的问题，本实用新型提供一种氮化镓微波集成电路脉冲调制电路。

本实用新型为了实现上述目的具体采用以下技术方案：

一种氮化镓微波集成电路脉冲调制电路，包括MOSFET驱动器和与MOSFET连接的调制脉冲，其特征在于：所述MOSFET驱动器为半桥MOSFET驱动器，所述半桥MOSFET驱动器分别连接有MOSFET管A和MOSFET管B，MOSFET管A和MOSFET管B的栅极分别与半桥MOSFET驱动器连接，其中MOSFET管A的漏极连接有电源电压VDD，源极分别与功率放大模块和MOSFET管B的漏极连接，MOSFET管B的源极接地。

进一步的，所述半桥MOSFET驱动器的型号为MIC4102YM，半桥MOSFET驱动器的1脚与6脚连接并且连接有+10V电压，调制脉冲与半桥MOSFET驱动器的5脚连接，半桥MOSFET驱动器的7脚接地；

半桥MOSFET驱动器的3脚与型号为SQ4946AEY的MOSFET管A的栅极连接，并且还连接有电阻R2，电阻R2的另一端与半桥MOSFET驱动器的4脚连接并且还连接有电阻R3，电阻R3的另一端与半桥MOSFET驱动器的8脚连接，半桥MOSFET驱动器的2脚与4脚之间串联有自举电容C3，半桥MOSFET驱动器的8脚与型号为Si2392ADS的MOSFET管B的栅极连接，MOSFET管B的漏极与半桥MOSFET驱动器的4脚连接。

进一步的，所述MOSFET管A和MOSFET管B均为N沟道MOSFET管。

进一步的，所述MOSFET管A的漏极连接有储能电容模块，所述储能电容模块包括一个或多个相互并联的多层瓷片电容。

本实用新型的工作原理为：