[实用新型]位线结构及存储器有效
| 申请号： | 201821428389.X | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN208655645U | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 祝啸 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多孔绝缘材料 位线 隔离材料层 空气隙 位线结构 基底 存储器 本实用新型 覆盖隔离 寄生电容 间隔排列 孔隙连通 提升器件 材料层 侧壁 减小 覆盖 | ||
1.一种位线结构，其特征在于，包括：
基底，位于所述基底上的多条位线，多条所述位线间隔排列；
隔离材料层，位于所述基底和所述位线上，所述隔离材料层覆盖所述位线的顶部和侧壁；
多孔绝缘材料层，位于所述隔离材料层上，所述多孔绝缘材料层覆盖所述隔离材料层，且所述多孔绝缘材料层中具有多个孔隙；
空气隙，位于所述位线两侧并在所述隔离材料层和所述多孔绝缘材料层之间，且所述空气隙与所述多孔绝缘材料层中的多个孔隙连通。
2.如权利要求1所述的位线结构，其特征在于，还包括位线隔离层，所述位线隔离层覆盖所述多孔绝缘材料层并填充相邻所述位线之间的间隙。
3.如权利要求2所述的位线结构，其特征在于，所述隔离材料层的材质包含氮化硅或氮氧化硅或二氧化硅，所述多孔绝缘材料层的材质包含介孔二氧化硅，所述位线隔离层的材质包含二氧化硅。
4.如权利要求1所述的位线结构，其特征在于，所述位线包含依次位于所述基底上的第一导电材料层、第二导电材料层与保护材料层，所述第一导电材料层的材质包含掺杂多晶硅，所述第二导电材料层的材质包含钛或氮化钛或钨，所述保护材料层的材质包含氮化硅或氮氧化硅或二氧化硅。
5.如权利要求1所述的位线结构，其特征在于，所述隔离材料层具有在所述位线上的第一部位以及在所述基底上的第二部位，所述多孔绝缘材料层覆盖所述隔离材料层的所述第一部位和所述第二部位，以及包覆所述空气隙。
6.一种存储器，其特征在于，包括：
基底，位于所述基底上的多条位线，多条所述位线间隔排列；
隔离材料层，位于所述基底和所述位线上，所述隔离材料层覆盖所述位线的顶部和侧壁；
多孔绝缘材料层，位于所述隔离材料层上，所述多孔绝缘材料层覆盖所述隔离材料层，且所述多孔绝缘材料层中具有多个孔隙；
空气隙，位于所述位线两侧并在所述隔离材料层和所述多孔绝缘材料层之间，所述空气隙与所述多孔绝缘材料层中的多个孔隙连通。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
