[实用新型]位线结构及存储器

说明书

本实用新型提供了一种位线结构及存储器，所述位线结构包括基底，位于基底上的多条位线，多条位线间隔排列，以及隔离材料层、多孔绝缘材料层与空气隙，隔离材料层位于基底和位线上，隔离材料层覆盖位线的顶部和侧壁，多孔绝缘材料层位于隔离材料层上，多孔绝缘材料层覆盖隔离材料层，且多孔绝缘材料层中具有多个孔隙，空气隙位于位线两侧并在隔离材料层和多孔绝缘材料层之间，且空气隙与多孔绝缘材料层中的多个孔隙连通，所述空气隙能够减小位线之间的寄生电容，提升器件的性能。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种位线结构及存储器。

背景技术

存储器通常包括存储电容器以及连接到所述存储电容器的存储晶体管，所述存储电容器用来存储代表存储信息的电荷。所述存储晶体管中形成有源区、漏区和栅极，所述栅极用于控制所述源区和漏区之间的电流流动，并连接至字线，所述源区用于构成位线接触区，以连接至位线，所述漏区用于构成存储节点接触区，以连接至存储电容器。

随着半导体制作工艺中集成度的不断增加，提升存储器的集成密度已成为一种趋势，而位线的集成密度也随之增加。然而，在位线之间的间距变得越来越小的情况下，位线之间的寄生电容对器件性能的影响越来越大。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种位线结构及存储器，减小位线之间的寄生电容，提升器件的性能。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种位线结构，包括：

基底，位于所述基底上的多条位线，多条所述位线间隔排列；

隔离材料层，位于所述基底和所述位线上，所述隔离材料层覆盖所述位线的顶部和侧壁；

多孔绝缘材料层，位于所述隔离材料层上，所述多孔绝缘材料层覆盖所述隔离材料层，且所述多孔绝缘材料层中具有多个孔隙；

空气隙，位于所述位线两侧并在所述隔离材料层和所述多孔绝缘材料层之间，且所述空气隙与所述多孔绝缘材料层中的多个孔隙连通。

可选的，还包括位线隔离层，所述位线隔离层覆盖所述多孔绝缘材料层并填充相邻所述位线之间的间隙。

可选的，所述隔离材料层的材质包含氮化硅或氮氧化硅或二氧化硅，所述多孔绝缘材料层的材质包含介孔二氧化硅，所述位线隔离层的材质包含二氧化硅。

可选的，所述位线包含依次位于所述基底上的第一导电材料层、第二导电材料层与保护材料层，所述第一导电材料层的材质包含掺杂多晶硅，所述第二导电材料层的材质包含钛或氮化钛或钨，所述保护材料层的材质包含氮化硅或氮氧化硅或二氧化硅。

可选的，所述隔离材料层具有在所述位线上的第一部位以及在所述基底上的第二部位，所述多孔绝缘材料层覆盖所述隔离材料层的所述第一部位和所述第二部位，以包覆所述空气隙。

本实用新型还提供一种存储器，包括：

基底，位于所述基底上的多条位线，多条所述位线间隔排列；

隔离材料层，位于所述基底和所述位线上，所述隔离材料层覆盖所述位线的顶部和侧壁；

多孔绝缘材料层，位于所述隔离材料层上，所述多孔绝缘材料层覆盖所述隔离材料层，且所述多孔绝缘材料层中具有多个孔隙；

空气隙，位于所述位线两侧并在所述隔离材料层和所述多孔绝缘材料层之间，且所述空气隙与所述多孔绝缘材料层中的多个孔隙连通。