[实用新型]一种低压大电流功率VDMOS有效
| 申请号： | 201821429898.4 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN208674123U | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 万立宏;范捷;王绍荣 | 申请（专利权）人： | 江苏丽隽功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/08;H01L29/51 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 聂启新 |
| 地址： | 214067 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化层 接触孔 外延层 绝缘层 低压大电流 功率VDMOS 第一金属层 衬底 半导体器件领域 氮化硅钝化层 电流处理能力 本实用新型 导通电阻 多晶硅栅 贯穿 淀积 金属 生长 | ||
1.一种低压大电流功率VDMOS，其特征在于，包括衬底、在所述衬底之上的外延层、在所述外延层之上的氧化层、在所述外延层和所述氧化层之间的P型半导体层和N型半导体层、在所述氧化层之上的绝缘层、在所述绝缘层之上的第一金属层、在所述第一金属层之上的氮化硅钝化层；
沟槽贯穿所述P型半导体层和所述N型半导体层，所述沟槽的底部在所述外延层，所述沟槽内生长有一层氧化层，所述沟槽内的氧化层上淀积有多晶硅栅；
接触孔贯穿所述绝缘层、所述氧化层和所述N型半导体层，所述接触孔的一部分在所述P型半导体层，所述接触孔的下方为浓P型半导体区，所述接触孔内为第二金属。
2.根据权利要求1所述的低压大电流功率VDMOS，其特征在于，所述N型半导体层在所述P型半导体层之上，所述P型半导体层在所述外延层之上；
所述沟槽内的氧化层与所述N型半导体层之上的氧化层相接。
3.根据权利要求1所述的低压大电流功率VDMOS，其特征在于，所述衬底为所述低压大电流功率VDMOS的漏极；
所述第一金属层为所述低压大电流功率VDMOS的源极；
所述多晶硅栅为所述低压大电流功率VDMOS的栅极。
4.根据权利要求1所述的低压大电流功率VDMOS，其特征在于，所述接触孔内为钨金属；
所述第一金属层为铝金属层。
5.根据权利要求1所述的低压大电流功率VDMOS，其特征在于，所述绝缘层包括两层，两层绝缘层的绝缘介质材质不同。
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