[实用新型]一种低压大电流功率VDMOS

说明书

本实用新型公开了一种低压大电流功率VDMOS，属于半导体器件领域。该低压大电流功率VDMOS，包括衬底、在衬底之上的外延层、在外延层之上的氧化层、在外延层和氧化层之间的P型半导体层和N型半导体层、在氧化层之上的绝缘层、在绝缘层之上的第一金属层、在第一金属层之上的氮化硅钝化层；沟槽贯穿P型半导体层和N型半导体层，沟槽的底部在外延层，沟槽内生长有一层氧化层，沟槽内的氧化层上淀积有多晶硅栅；接触孔贯穿绝缘层、氧化层和N型半导体层，接触孔的一部分在P型半导体层，接触孔的下方为浓P型半导体区，接触孔内为第二金属；具有导通电阻低、电流处理能力强、性能稳定、可靠性高等特点。

技术领域

本实用新型实施例涉及半导体器件领域，特别涉及一种低压大电流功率VDMOS。

背景技术

低压大电流功率VDMOS对器件承受耐压能力要求不高，但是要求器件具有极低的导通电阻、较高的开关速度和较高的雪崩耐量。

目前低压VDMOS的工艺主要为Trench工艺和平面工艺，利用Trench工艺制作的VDMOS由于不存在体内JFET器件，可以极大的降低导通电阻，但是器件的雪崩耐量较差，无法满足UPS、逆变器、电动车控制器等对雪崩耐量要求较高的产品；采用平面工艺制作的VDMOS虽然单位面积的导通电阻较大，但是雪崩耐量较高。

实用新型内容

为了解决现有技术的问题，本实用新型实施例提供了一种低压大电流功率VDMOS。该技术方案如下：

第一方面，提供了一种低压大电流功率VDMOS，包括衬底、在衬底之上的外延层、在外延层之上的氧化层、在外延层和氧化层之间的P型半导体层和N型半导体层、在氧化层之上的绝缘层、在绝缘层之上的第一金属层、在第一金属层之上的氮化硅钝化层；

沟槽贯穿P型半导体层和N型半导体层，沟槽的底部在外延层，沟槽内生长有一层氧化层，沟槽内的氧化层上淀积有多晶硅栅；

接触孔贯穿绝缘层、氧化层和N型半导体层，接触孔的一部分在P型半导体层，接触孔的下方为浓P型半导体区，接触孔内为第二金属。

可选的，N型半导体层在P型半导体层之上，P型半导体层在外延层之上；

沟槽内的氧化层与N型半导体层之上的氧化层相接。

可选的，衬底为低压大电流功率VDMOS的漏极；

第一金属层为低压大电流功率VDMOS的源极；

多晶硅栅为低压大电流功率VDMOS的栅极。

可选的，接触孔内为钨金属；

第一金属层为铝金属层。

可选的，绝缘层包括两层，两层绝缘层的绝缘介质材质不同。

本实用新型实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

在制作过程中减少光罩次数，降低了生产成本，具有导通电阻低、电流处理能力强、性能稳定、可靠性高等特点。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是根据一示例性实施例示出的一种低压大电流功率VDMOS的结构示意图；

图2是根据一示例性实施例示出的一种低压大电流功率VDMOS的制作示意图；

图3是根据一示例性实施例示出的一种低压大电流功率VDMOS的制作示意图；