[实用新型]一种纳米石墨溶胶制备装置有效
申请号: | 201821432532.2 | 申请日: | 2018-09-03 |
公开(公告)号: | CN209205259U | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 曹明辉 | 申请(专利权)人: | 曹明辉 |
主分类号: | B01J13/00 | 分类号: | B01J13/00 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹;吴欢燕 |
地址: | 102609*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米石墨溶胶 限位盖板 石墨板 开口槽 沿槽 本实用新型 制备装置 支撑 石墨 冲洗管 电解槽 底面 卡槽 支架 制备 长度方向间隔 宽度方向间隔 对角 杂质离子 制备过程 内侧壁 槽体 多片 隔开 粒径 用时 团聚 延伸 | ||
1.一种纳米石墨溶胶制备装置,其特征在于,包括电解槽,冲洗管和限位盖板,所述电解槽包括槽体,沿所述槽体的宽度方向间隔设有多个石墨支架,每相邻两个所述石墨支架之间设有多组一一对应的支撑开口槽,每组所述支撑开口槽之间用于放置一石墨板,每片所述石墨板的其中一对对角分别支撑在一组所述支撑开口槽中,所述限位盖板呈条状,所述限位盖板的底面沿其长度方向间隔设有多个卡槽,所述限位盖板用于设于所述石墨板的上方,通过所述卡槽将多片所述石墨板之间一一隔开,所述冲洗管沿所述槽体的内侧壁设置,并弯折沿所述槽体的底面延伸。
2.根据权利要求1所述的纳米石墨溶胶制备装置,其特征在于,所述支撑开口槽沿所述石墨支架的长度方向成排间隔设置,所述支撑开口槽的宽度与所述石墨板的厚度相匹配,相邻两个所述支撑开口槽之间的间距限定出相邻两片所述石墨板之间的间距。
3.根据权利要求1所述的纳米石墨溶胶制备装置,其特征在于,所述支撑开口槽的槽底面呈从内向外向下倾斜设置,且所述槽底面的倾斜角度和与所述槽底面接触的所述石墨板的斜边倾斜角度一致。
4.根据权利要求1所述的纳米石墨溶胶制备装置,其特征在于,所述石墨板呈方形,所述限位盖板用于盖设在所述石墨板的顶角上,所述卡槽的横截面呈与所述石墨板的顶角相匹配的三角形;所述石墨板的底角与所述槽体的底部之间留有间距。
5.根据权利要求1所述的纳米石墨溶胶制备装置,其特征在于,所述石墨支架的两端通过支撑杆支撑在所述槽体中,所述支撑杆的顶端设有夹持所述石墨支架的定位槽,所述支撑杆贴设于所述槽体的宽度方向的相对两侧。
6.根据权利要求1所述的纳米石墨溶胶制备装置,其特征在于,所述冲洗管包括多组,多组所述冲洗管沿所述槽体的长度方向间隔设置,每组所述冲洗管包括竖直段和水平段,所述竖直段和水平段通过弯管接头连接,所述水平段沿所述槽体的底部宽度方向设置,所述水平段的管壁分布有若干出水孔,且所述出水孔水平向下倾斜;所述冲洗管用于向所述槽体中放入电解液或向所述槽体提供需要清洗的冲洗水。
7.根据权利要求1所述的纳米石墨溶胶制备装置,其特征在于,所述槽体的底部构造成四周向中部逐渐倾斜向下设置,且在槽底中部设有排放口。
8.根据权利要求1-7任一项所述的纳米石墨溶胶制备装置,其特征在于,还包括用于与所述石墨板电连接的脉冲频率发生装置,所述槽体中的所有石墨板作为电极交替与所述脉冲频率发生装置的正负极连接,所述脉冲频率发生装置包括正脉冲波形发生电路和负偏压发生电路,所述正脉冲波形发生电路和负偏压发生电路的正负极分别对应与正电极的所述石墨板和负电极的所述石墨板连接。
9.根据权利要求8所述的纳米石墨溶胶制备装置,其特征在于,所述正脉冲形成电路和负偏压形成电路为两个单独电路,输出频率为50-100Hz,输出电流为10-160A,输出电压为15-30V,负电压为1-3V,负电压脉冲宽度100-1000ns。
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