[实用新型]沟槽隔离结构有效
| 申请号： | 201821434102.4 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN209045526U | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘部 凸起部 侧壁保护 绝缘介质 衬底 沟槽隔离结构 本实用新型 侧壁延伸部 绝缘介质层 凸起连接部 侧壁 刻蚀选择比 支撑层 减小 覆盖 填充 腐蚀 | ||
1.一种沟槽隔离结构，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底中具有沟槽；
绝缘介质层，包括填充于所述沟槽的第一绝缘部以及凸出于所述第一绝缘部顶面的第二绝缘部，所述第二绝缘部包括上部的凸起部以及位于所述凸起部及所述第一绝缘部之间的凸起连接部；
侧壁保护部，覆盖于述第二绝缘部的所述凸起部的侧壁；以及
侧壁延伸部，覆盖于所述第二绝缘部的所述凸起连接部的侧壁；
其中，所述侧壁保护部与所述绝缘介质层具有不同材质。
2.根据权利要求1所述的沟槽隔离结构，其特征在于：所述第二绝缘部的所述凸起部的高度范围介于5纳米～25纳米，所述第二绝缘部的所述连接部的高度范围介于5纳米～20纳米之间。
3.根据权利要求1所述的沟槽隔离结构，其特征在于：所述侧壁保护部的高度范围介于5纳米～25纳米之间，宽度范围介于3纳米～20纳米之间，所述侧壁延伸部的高度范围介于3纳米～12纳米之间，宽度范围介于5纳米～20纳米之间。
4.根据权利要求1所述的沟槽隔离结构，其特征在于：所述侧壁延伸部与所述绝缘介质层具有相同材质，所述侧壁延伸部的材质包括氧化硅。
5.根据权利要求1所述的沟槽隔离结构，其特征在于：所述沟槽的侧壁及顶角具有热氧化形成的绝缘侧壁及绝缘圆化顶角。
6.根据权利要求1所述的沟槽隔离结构，其特征在于：所述绝缘介质层的高度范围介于250纳米～600纳米之间。
7.根据权利要求1所述的沟槽隔离结构，其特征在于：所述绝缘介质层的材质包括氧化硅，所述侧壁保护部的材质包括氮化硅。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821434102.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
