[实用新型]晶体管及集成电路存储器有效
| 申请号： | 201821434288.3 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN208655659U | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 集成电路存储器 本实用新型 栅极沟槽 源/漏区 栅极层 功函数 衬底 集成电路领域 栅极介质层 表面延伸 逐渐降低 电荷 沟道区 交叠处 底壁 均一 埋置 势垒 填充 | ||
1.一种晶体管，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底中形成有栅极沟槽以及从所述栅极沟槽的两侧延伸到所述衬底的表面的源/漏区；
所述栅极沟槽中填充有栅极介质层、第一栅极层和第二栅极层，所述栅极介质层保形地覆盖于所述栅极沟槽的底壁和侧壁，所述第二栅极层填充所述栅极沟槽；
所述第一栅极层位于所述栅极介质层和所述第二栅极层之间，并且，沿所述栅极沟槽的底壁向所述衬底的表面延伸的方向，所述第一栅极层的功函数逐渐降低。
2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述栅极沟槽的侧壁包括相对的第一侧壁和第二侧壁，所述第一栅极层包括分别覆盖于所述第一侧壁、所述第二侧壁以及所述底壁的第一导电段、第二导电段以及第三导电段，所述第三导电段的功函数大于所述第一导电段和所述第二导电段的功函数。
3.如权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述第三导电段的功函数在3eV～6eV范围，所述第一导电段和所述第二导电段的功函数在1eV～3eV范围。
4.如权利要求2所述的晶体管，其特征在于，在所述栅极沟槽的深度方向上，所述第一导电段和/或所述第二导电段的高度范围为10nm～50nm，所述第三导电段的高度范围为40nm～130nm。
5.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括介质层，所述介质层位于所述第一栅极层和所述第二栅极层上方并填满所述栅极沟槽。
6.一种集成电路存储器，其特征在于，包括如权利要求1至5任一项所述的晶体管。
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