[实用新型]集成电路存储器的晶体管组合结构及半导体集成电路器件

权利要求书

1.一种集成电路存储器的晶体管组合结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底中具有多个有源区；以及，

多条字线，形成在所述衬底中，所述字线在字线延伸方向上与相应的所述有源区相交，由所述有源区和所述字线在所述有源区内的部分共同构成集成电路存储器的存储晶体管；

其中，所述有源区中对应所述字线的凹槽部分构成沟道区，对应所述沟道区的所述衬底具有第一顶表面，并且在所述沟道区的衬底中形成有相对所述第一顶表面凹陷的至少一个第一缺口，所述字线覆盖所述沟道区的所述第一顶表面并填充所述第一缺口。

2.如权利要求1所述的集成电路存储器的晶体管组合结构，其特征在于，所述有源区沿着有源长度方向延伸，所述第一缺口的底表面和所述第一顶表面构成第一台阶结构，所述第一台阶结构在垂直于所述有源区的延伸方向上逐阶排布。

3.如权利要求2所述的集成电路存储器的晶体管组合结构，其特征在于，所述第一缺口沿着所述有源区的延伸方向延伸，并在所述延伸方向上与所述沟道区具备相同的长度尺寸。

4.如权利要求1所述的集成电路存储器的晶体管组合结构，其特征在于，所述衬底中形成有多个字线沟槽，所述字线填充在所述字线沟槽中，并且所述字线沟槽在字线延伸方向上穿越相应有源区的所述沟道区；

其中，所述字线沟槽对应所述沟道区的部分构成栅极沟槽，所述栅极沟槽的底表面对应所述沟道区的所述第一顶表面，所述第一缺口相对于所述栅极沟槽的底表面凹陷。

5.如权利要求4所述的集成电路存储器的晶体管组合结构，其特征在于，所述字线沟槽在字线延伸方向上还具有多个连接沟槽，所述连接沟槽位于在字线延伸方向上相邻的所述栅极沟槽之间，以使在字线延伸方向上相邻的所述栅极沟槽相互连通。

6.如权利要求5所述的集成电路存储器的晶体管组合结构，其特征在于，所述字线沟槽中，所述栅极沟槽的底表面相对于所述连接沟槽的底表面突出并具有突起侧壁，所述字线填充所述栅极沟槽和所述连接沟槽并覆盖所述突起侧壁，以构成鳍式场效应晶体管的栅极。

7.如权利要求6所述的集成电路存储器的晶体管组合结构，其特征在于，所述第一缺口设置在所述栅极沟槽靠近所述连接沟槽的一侧上，并且所述第一缺口的底表面相对于所述连接沟槽的底表面突出，以使所述连接沟槽的底表面、所述第一缺口的底表面和所述栅极沟槽的底表面构成多级台阶结构，所述多级台阶结构在垂直于所述有源区的延伸方向上逐阶排布。

8.如权利要求1所述的集成电路存储器的晶体管组合结构，其特征在于，所述衬底中还形成有沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构围绕在所述有源区的外围，以隔离相邻的所述有源区。

9.如权利要求1～8任一项所述的集成电路存储器的晶体管组合结构，其特征在于，所述有源区中位于所述字线两侧的部分构成所述存储晶体管的源漏区，对应所述源漏区的所述衬底具有第二顶表面，并且对应所述源漏区的衬底中均形成有相对所述第二顶表面凹陷的至少一个第二缺口。

10.如权利要求9所述的集成电路存储器的晶体管组合结构，其特征在于，所述有源区沿着有源长度方向延伸，所述第二缺口的底表面和所述第二顶表面构成第二台阶结构，所述第二台阶结构在垂直于所述有源区的延伸方向上逐阶排布。

11.如权利要求10所述的集成电路存储器的晶体管组合结构，其特征在于，所述第二缺口沿着所述有源区的延伸方向延伸，并在所述有源区的延伸方向上与对应的源区或漏区具备相同的长度尺寸。

12.如权利要求9所述的集成电路存储器的晶体管组合结构，其特征在于，所述沟道区的所述第一缺口和所述源漏区的所述第二缺口均沿着有源长度方向延伸，并且在同一所述有源区中，所述第一缺口的高度投影区和所述第二缺口的高度投影区在同一直线上相互连接。