[实用新型]一种半导体存储器

权利要求书

1.一种半导体存储器，其特征在于，所述半导体存储器至少包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有多个间隔排布的有源区，所述有源区包括第一接触区和位于所述第一接触区两侧的第二接触区；

位线接触窗，所述位线接触窗沿预定方向形成在所述半导体衬底上；

字线，所述字线沿垂直于所述预定方向的方向形成在所述半导体衬底上，所述字线将所述位线接触窗切断，两条字线中间形成独立的位线接触窗；以及

位线，所述位线形成在所述位线接触窗上方；

其中，所述半导体衬底上具有隔离结构，所述隔离结构在所述半导体衬底上隔离出所述多个有源区；并且

所述半导体衬底上还生长有第一介质层以保护所述有源区，所述第一介质层包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的一种或它们的组合。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述半导体存储器还包括：

隔离线介质层，所述隔离线介质层沿所述字线的平行方向，位于所述有源区之间；以及

导电材料层，所述导电材料层位于所述字线、位线及所述隔离线介质层之间，并且连接到所述有源区的第二接触区。

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储器，其特征在于，所述位线接触窗包括第一间隔绝缘层及第一导电层，所述第一间隔绝缘层位于位线接触窗的侧壁上，所述第一导电层位于所述第一间隔绝缘层中间。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器，其特征在于，所述第一导电层包括钨、钛、镍、铝、氧化钛、氮化钛中的一种或它们的组合。

5.根据权利要求1或2所述的半导体存储器，其特征在于，

所述字线包括依次沉积形成的栅氧化层、字线导体，以及在所述字线导体上方自对准填充形成的字线隔离层。

6.根据权利要求1或2所述的半导体存储器，其特征在于，所述位线包括第二间隔绝缘层、位线导体及在所述第二间隔绝缘层和所述位线导体上方自对准地填充的位线隔离层，所述第二间隔绝缘层形成所述位线的侧壁，所述位线导体位于所述第二间隔绝缘层中间。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器，其特征在于，所述位线具有波浪形图案。

8.根据权利要求1或2所述的半导体存储器，其特征在于，所述位线与所述位线接触窗之间具有一定的偏移量。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器，其特征在于，所述位线宽度大于所述位线接触窗的宽度。