[实用新型]一种半导体存储器

说明书

本实用新型提供一种半导体存储器，该半导体存储器的在半导体衬底具有多个间隔排布的有源区；沿预定方向形成的位线接触窗；沿垂直于预定方向的方向形成的字线。该字线将位线接触窗切断，两条字线中间形成独立的位线接触窗。减小了黄光对准形成位线接触窗的难度，避免了现有技术中形成位线接触孔对准偏差造成的电阻过大的问题。在位线接触窗上方形成有位线；该位线与位线接触窗之间可以具有一定的偏移量，这样既可以实现良好的接触，又能减小电阻。沿字线的平行方向在有源区之间形成隔离线介质层；在字线、位线及所述隔离线介质层之间形成导电层。通过字线隔离层和位线隔离层作为侧壁实现存储接触窗之间的自对准隔离，可操作性强。

技术领域

本实用新型涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种半导体存储器。

背景技术

随着存储器尺寸的不断缩减，存储器中的各个组件的特征尺寸也随之缩小，而这对于目前的光刻工艺而言，将是一项极大的挑战。

在执行多道光刻工艺时，由于光罩存在对准偏差的问题，因此对形成的存储器中的部分组件之间的电性连接与隔离造成影响。在传统的存储器中，通常位线接触窗和存储节点接触窗的光罩为接触孔光罩。在利用光刻工艺直接定义出位线接触窗以及存储节点接触窗时，将很可能导致所形成的接触窗和接触区之间产生较大的位移偏差，进而使接触电阻过大或者与器件内其他导体产生很大的寄生电容。以上问题不但会影响后续所形成的存储器的性能，并且也不利于实现组件尺寸的缩小。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种半导体存储器，以解决位线接触窗对准偏移的问题，实现存储接触窗之间的自对准隔离。

本实用新型提供一种半导体存储器，该半导体存储器至少包括：

半导体衬底，半导体衬底具有多个间隔排布的有源区，有源区包括第一接触区和位于第一接触区两侧的第二接触区；

位线接触窗，位线接触窗沿预定方向形成在半导体衬底上；

字线，字线沿垂直于预定方向的方向形成在半导体衬底上，字线将位线接触窗切断，两条字线中间形成独立的位线接触窗；以及

位线，位线形成在位线接触窗上方；

其中，所述半导体衬底上具有隔离结构，所述隔离结构在所述半导体衬底上隔离出所述多个有源区；并且

所述半导体衬底上还生长有第一介质层以保护所述有源区，所述第一介质层包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的一种或它们的组合。

可选地，半导体存储器还包括：

隔离线介质层，隔离线介质层沿所述字线的平行方向，位于有源区之间；以及

导电材料层，其位于所述字线、位线及所述隔离线介质层之间，并且连接到所述有源区的第二接触区。

可选地，位线接触窗包括间隔绝缘层及第一导电层，间隔绝缘层位于位线接触窗的侧壁上，第一导电层位于间隔绝缘层中间。

可选地，第一导电层包括钨、钛、镍、铝、氧化钛、氮化钛中的一种或它们的组合。

可选地，字线包括依次沉积形成的栅氧化层、字线导体，以及在字线导体上方自对准填充形成的字线隔离层。

可选地，位线包括第二间隔绝缘、第二导电层及在间隔绝缘层和第二导电层上方自对准地填充形成的位线隔离层，间隔绝缘层位于位线的侧壁上，第二导电层位于间隔绝缘层中间。

可选地，位线具有波浪形图案。

可选地，位线与位线接触窗之间具有一定的偏移量。

可选地，位线宽度大于位线接触窗的宽度。

如上所述，本实用新型的半导体存储器及其制备方法具有如下技术效果：