[实用新型]一种气体分配盘的内漏监测系统

说明书

本实用新型提供一种气体分配盘的内漏监测系统，该内漏监测系统包括，喷头，所述喷头包括相互独立的多个待监测区；分流器，所述分流器的入口与工艺主气相连，所述分流器包括多个出口；多个输气管道，每个所述出口分别通过每条所述输气管道与每个所述待监测区相连通；多个压力监测装置，每个所述压力监测装置分别与每个所述待监测区连通以监测每个所述待监测区的压力。利用本实用新型，通过在机台的气体分配盘的分流器的气体出口处加装压力监测装置，可实时监测生产过程中机台的气体分配盘内部不同独立待监测区中的压力，即时根据待监测区中的压力波动发现气体分配的内漏，进行维护，降低产品废率。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体制造领域，特别是涉及一种气体分配盘的内漏监测系统。

背景技术

在半导体制造的等离子体刻蚀工艺过程中，需要对反应气体进行离子化产生等离子体。一般情况下，等离子体都需要在减压气氛下产生及进行工艺，例如对晶片上的膜层产生蚀刻。在这些工艺中，蚀刻机台反应腔室内的气流、压强等参数对工艺效果有显著的影响，因此，对这些参数的控制就尤为重要。而气体分配盘作为蚀刻机台的主要部件之一，对工艺的均匀性影响较大。现有的气体分配盘一般都被划分成若干区域，需要分别对不同区域进行单独供气，以满足半导体工艺中对均匀性的要求。

以TEL(Tokyo Electron Ltd，日本东京电子公司)刻蚀设备MK/RK系列为例进行说明， TEL刻蚀设备MK/RK系列的气体分配采用S-RDC(Selectable Radical DistributionControl)方式，工艺气体经气体分配盘分流后经气体分配盘的三个区注入到反应腔体中，气体分配盘的三个区域使用C型O-Ring隔离成独立的空间。一般地，根据工艺需求，各区域中气体的供应量是不一样的，三个区域中的压力也不同，如果O-Ring装反或者老化就会导致气体分配盘内部泄漏，这就会导致气体分配盘中内漏所在区域中的气体供应异常，注入到反应腔体中的气体的分布偏离预设值，从而影响蚀刻的均匀性，现有的S-RDC供气方式无法实时监测气体分配盘的内漏，这就会导致大量产品的报废。

因此，寻找一种能有效监测气体分配盘内漏的系统，成为本领域技术人员亟需解决的一个重要技术问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种气体分配盘的内漏监测系统，用于解决现有技术中机台的气体分配盘中无压力监测装置，无法实时监测气体分配盘中内漏情况，导致大量产品报废的问题。

为实现上述目的及其它相关目的，本实用新型提供一种气体分配盘的内漏监测系统，包括：

喷头，包括相互独立的多个待监测区；

分流器，所述分流器的入口与工艺主气相连，所述分流器包括多个出口；

多个输气管道，每个所述出口分别通过每条所述输气管道与每个所述待监测区相连通；

多个压力监测装置，每个所述压力监测装置分别与每个所述待监测区连通以监测每个所述待监测区的压力。

作为对本实用新型上述气体分配盘的内漏监测系统的改进，所述喷头包括一夹板，安装固定于所述夹板下表面的一电极板，以及设置于所述夹板和所述电极板之间若干垫圈；所述垫圈将所述喷头隔绝成相互独立的多个所述待监测区。

作为对本实用新型上述气体分配盘的内漏监测系统的改进，所述夹板上设置有贯穿其上下表面的复数个第一气体喷射孔，其中，每个所述待监测区对应的所述夹板部分至少包括一个所述第一气体喷射孔；所述电极板上设置有贯穿其上下表面的复数个第二气体喷射孔，其中，每个所述待监测区对应的所述电极板部分至少包括一个所述第二气体喷射孔。

作为对本实用新型上述气体分配盘的内漏监测系统的改进，所述夹板上设置有若干环形凹槽，所述环形凹槽用于放置所述垫圈。