[实用新型]一种用于含扁引脚混合集成电路外壳的高水平度烧结模具有效
申请号: | 201821482656.1 | 申请日: | 2018-09-11 |
公开(公告)号: | CN208706578U | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 杨世亮 | 申请(专利权)人: | 上海科发电子产品有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 吴文滨 |
地址: | 201802 上海市嘉定*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 混合集成电路 引脚 膨胀补偿 模具托盘 定位腔 本实用新型 组合式模具 烧结模具 适配 压块 竖直方向移动 高温热膨胀 金丝键合 水平状态 最大偏移 腔室 配合 保证 | ||
本实用新型涉及一种用于含扁引脚混合集成电路外壳的高水平度烧结模具,包括模具托盘以及设置在模具托盘上的组合式模具块,模具托盘上开设有混合集成电路外壳定位腔,组合式模具块包括第一膨胀补偿机构、第二膨胀补偿机构、设置在混合集成电路外壳定位腔内并与腔室相适配的第三膨胀补偿机构以及沿竖直方向移动设置在混合集成电路外壳定位腔内并与扁引脚相适配的扁引脚压块。与现有技术相比,本实用新型通过第三膨胀补偿机构与扁引脚压块的配合,使混合集成电路外壳在高温热膨胀的过程中,扁引脚始终处于水平状态,最大偏移角度不超过1°,保证了产品的质量及一致性,提高了混合集成电路外壳在后续使用时金丝键合的可靠性和效率。
技术领域
本实用新型属于混合集成电路外壳加工技术领域,涉及一种用于含扁引脚混合集成电路外壳的高水平度烧结模具。
背景技术
混合集成电路外壳的种类繁多,一般都包括金属壳体、多个插设在金属壳体上的引脚以及设置在引脚与金属壳体之间用于密封及绝缘的玻璃绝缘子。对于某些混合集成电路外壳,其所安装的引脚均为扁引脚。这类混合集成电路外壳在烧结加工时,需要将烧结模具中的一个模具块加工出一个凹槽,用来控制扁引脚的方向,该凹槽的宽度为扁引脚的厚度+热膨胀所需要的间隙,这种设计会导致扁引脚烧结后水平度较差,大于所要求的±3°;若金属壳体上扁引脚的数量较多,则没有达到水平度要求的扁引脚数量会很多,导致成品率较低。
实用新型内容
本实用新型的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种用于含扁引脚混合集成电路外壳的高水平度烧结模具。
本实用新型的目的可以通过以下技术方案来实现:
一种用于含扁引脚混合集成电路外壳的高水平度烧结模具,所述的混合集成电路外壳包括外壳、多个并列插设在外壳一端的扁引脚以及设置在扁引脚与外壳之间的玻璃绝缘子,所述的外壳上开设有腔室,所述的扁引脚的一端位于腔室内,所述的烧结模具包括模具托盘以及设置在模具托盘上的组合式模具块,所述的模具托盘上开设有混合集成电路外壳定位腔,所述的组合式模具块包括设置在混合集成电路外壳定位腔内并分别与外壳相邻两侧面相适配的第一膨胀补偿机构及第二膨胀补偿机构、设置在混合集成电路外壳定位腔内并与腔室相适配的第三膨胀补偿机构以及沿竖直方向移动设置在混合集成电路外壳定位腔内并与扁引脚相适配的扁引脚压块。烧结加工时,将混合集成电路外壳放置在混合集成电路外壳定位腔中,第一膨胀补偿机构、第二膨胀补偿机构分别从外侧对产品在烧结过程中的膨胀或收缩进行补偿,第三膨胀补偿机构从腔室内侧对产品在烧结过程中的膨胀或收缩进行补偿,保证各扁引脚的同心度;扁引脚压块从上方向下压着扁引脚的一端,使扁引脚的扁平面始终保持水平。
进一步地,所述的第一膨胀补偿机构及第二膨胀补偿机构均包括设置在混合集成电路外壳定位腔内的第一支撑块、第二支撑块以及设置在第一支撑块与第二支撑块之间的第一压块,所述的第一支撑块与混合集成电路外壳定位腔的内侧壁相适配,所述的第二支撑块与外壳相适配。当外壳在烧结高温下膨胀时,第二支撑块向第一支撑块方向运动,使第一支撑块与第二支撑块之间的间距变小;当外壳降温收缩时,在第一压块的重力作用下,移动的第二支撑块反方向运动复位,实现膨胀补偿及同步收缩。
进一步地,所述的第一支撑块及第二支撑块均呈水平设置的三棱柱状,所述的第一压块呈水平设置的圆柱状,并且所述的第一压块的侧面与第一支撑块、第二支撑块的倾斜面相接触。通过第一压块的侧面与第一支撑块、第二支撑块的倾斜面配合,实现膨胀补偿功能。
进一步地,所述的外壳上设有延伸板,所述的混合集成电路外壳定位腔内还设有与延伸板相适配的延伸板压块。延伸板压块从上方向下压着延伸板,同时延伸板压块的两侧分别与外壳外侧壁、第二支撑块侧壁相适配。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造