[实用新型]封装体检测装置有效

专利信息
申请号: 201821484307.3 申请日: 2018-09-11
公开(公告)号: CN208674067U 公开(公告)日: 2019-03-29
发明(设计)人: 林万建;刘秋艳;张顺勇;梁山安 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 董琳;陈丽丽
地址: 430074 湖北省武汉市洪山区东*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 封装体 焊球 金线 检测装置 本实用新型 电连接性能 承载面 电连接 引出部 引出面 承载 通孔 检测结果 稳固连接 准确检测 体内部 检测 触点 封装 穿过 分析 贯穿 外部
【说明书】:

实用新型涉及分析技术领域,尤其涉及一种封装体检测装置。所述封装体检测装置包括:承载部,具有用于与封装体焊球接触的承载面、与所述承载面相对的引出面、以及贯穿所述承载部的通孔;引出部,适于自所述引出面穿过所述通孔与所述承载面上的所述焊球电连接,以将所述焊球的触点引出至所述封装体外部;检测部,同时电连接所述引出部与所述封装体中的金线,用于对所述焊球与所述金线在所述封装体内部的电连接性能进行检测。本实用新型能够达到在同时与金线和焊球稳固连接的情况下,实现对金线与焊球电连接性能的准确检测,确保了对封装体分析、检测结果的准确性。

技术领域

本实用新型涉及分析技术领域,尤其涉及一种封装体检测装置。

背景技术

随着平面型闪存存储器的发展,半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年,平面型闪存的发展遇到了各种挑战:物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下,为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本,各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生,例如3D NOR(3D或非)闪存和3D NAND(3D与非)闪存。

其中,3D NAND存储器以其小体积、大容量为出发点,将储存单元采用三维模式层层堆叠的高度集成为设计理念,生产出高单位面积存储密度,高效存储单元性能的存储器,已经成为新兴存储器设计和生产的主流工艺。

封装是3D NAND存储器制造过程中的一个重要步骤。BGA(Ball Grid Array,球栅阵列)封装,是一种新型的表面贴装大规模集成电路的封装形式。与传统的QFP(Quad FlatPackage,四侧引脚扁平封装)工艺相比,BGA封装技术提高了输入/输出端子数量,减少了寄生电感和电容,改善了3D NAND存储器的电性能。但是,目前还没有有效的方法对BGA封装体的封装质量进行检测。

因此,如何准确实现对封装体封装质量的检测,确保对封装体分析、检测结果的准确性,是目前亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种封装体检测装置,用于解决现有技术不能对封装体封装质量进行准确检测的问题,以确保对封装体分析、检测结果的准确性。

为了解决上述问题,本实用新型提供了一种封装体检测装置,包括:

承载部,具有用于与封装体焊球接触的承载面、与所述承载面相对的引出面、以及贯穿所述承载部的通孔;

引出部,适于自所述引出面穿过所述通孔与所述承载面上的所述焊球电连接,以将所述焊球的触点引出至所述封装体外部;

检测部,同时电连接所述引出部与所述封装体中的金线,用于对所述焊球与所述金线在所述封装体内部的电连接性能进行检测。

优选的,所述封装体为BGA封装体;所述BGA封装体包括封装基板;

所述金线与所述焊球位于所述封装基板的相对两侧,且通过所述封装基板内的多层连接线电连接。

优选的,所述承载部包括透明绝缘承载板;

所述通孔贯穿所述透明绝缘承载板,所述焊球位于所述通孔在所述承载面上的开口处。

优选的,所述引出部包括:

导电针,包括适于穿过所述通孔以与所述焊球电连接的针尖部;

引出线,一端与所述导电针的端部电连接、另一端与所述检测部电连接。

优选的,所述引出部还包括接触垫;

所述接触垫电连接在所述引出线与所述检测部之间。

优选的,所述承载部还包括支架,用于支撑所述透明绝缘承载板。

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