[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201821487420.7 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN208706643U | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 王婷;何丹丹;任兴润;刘洋 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 李华;崔香丹 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘介电层 扩散阻挡层 半导体器件 导电接触 互连结构 互连 基底 本实用新型 沟槽内表面 铜种子层 电镀铜 填满 制程 空洞 平整 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，包括至少一个互连结构，其特征在于，所述互连结构包括：
基底；
第一绝缘介电层，形成于所述基底上，包括导电接触；
第二绝缘介电层，形成于所述第一绝缘介电层上，且具有沟槽，所述沟槽底部露出所述导电接触；
钌扩散阻挡层，形成于所述沟槽内表面；及
铜，填满所述沟槽。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述钌扩散阻挡层的厚度为5～20nm。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述基底包括硅、锗、锗化硅、碳化硅和砷化镓中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一绝缘介电层和所述第二绝缘介电层包括氮化硅、二氧化硅及氮氧化硅中的一种或多种。
5.一种半导体器件，包括至少一个互连结构，其特征在于，所述互连结构包括：
基底；
第一导电层，形成于所述基底上；
第二绝缘介电层，形成于所述第一导电层上，且具有沟槽，所述沟槽底部露出所述第一导电层；
钌扩散阻挡层，形成于所述沟槽内表面；及
铜，填满所述沟槽。
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