[实用新型]一种多晶硅还原炉进气结构有效

专利信息
申请号: 201821507715.6 申请日: 2018-09-14
公开(公告)号: CN208856913U 公开(公告)日: 2019-05-14
发明(设计)人: 余涛;冉祎 申请(专利权)人: 四川永祥多晶硅有限公司
主分类号: C01B33/035 分类号: C01B33/035
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王学强;罗满
地址: 614800 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 空腔 进气支管 进气主管 盘型 缓流板 多晶硅还原炉 进气结构 本实用新型 端部连接 炉体内部 喷嘴 还原炉 缓冲层 带通 炉体 连通 阻挡 穿过 占用 替代
【权利要求书】:

1.一种多晶硅还原炉进气结构,包括进气主管,其特征在于,所述进气主管端部连接有盘型空腔,所述盘型空腔上方设有不少于两根进气支管,所述进气支管穿过炉体底部后与设置在炉体内部的喷嘴连通;所述盘型空腔内设有带通孔的缓流板,所述进气主管和进气支管分设在缓流板两侧。

2.如权利要求1所述的多晶硅还原炉进气结构,其特征在于,所述盘型空腔和缓流板为圆柱形,所述进气主管在盘型空腔的轴线位置与盘型空腔连接。

3.如权利要求2所述的多晶硅还原炉进气结构,其特征在于,所述盘型空腔和缓流板水平设置。

4.如权利要求3所述的多晶硅还原炉进气结构,其特征在于,所述通孔在缓流板上关于缓流板的轴线呈轴对称设置。

5.如权利要求4所述的多晶硅还原炉进气结构,其特征在于,所述进气支管关于盘型空腔的轴线呈轴对称设置,所述进气支管与通孔错位设置。

6.如权利要求1所述的多晶硅还原炉进气结构,其特征在于,所述通孔靠近进气主管一侧的孔径小于靠近进气支管一侧的孔径。

7.如权利要求1所述的多晶硅还原炉进气结构,其特征在于,所述进气主管与盘型空腔连接的端部为内径逐渐变大的漏斗结构。

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