[实用新型]一种芯粒测试装置有效
申请号: | 201821514511.5 | 申请日: | 2018-09-17 |
公开(公告)号: | CN209070070U | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 王元;蔡家豪;陈辉;邓庆武;邱智中;蔡吉明 | 申请(专利权)人: | 安徽三安光电有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
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地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 寻边器 本实用新型 光反射装置 测试装置 芯粒 种芯 电性能参数 导电功能 测量芯 导电板 积分球 收光器 中探针 电极 测点 光强 探针 显示器 光纤 | ||
本实用新型涉一种芯粒测试装置,用于测量芯粒的光、电性能参数,其至少包括机架、放置芯粒的具有导电功能的导电板、积分球收光器和CCD扫描仪、第一寻边器和第二寻边器、显示器和光纤,所述第一寻边器中设置有用于直接接触电极的探针,所述第二寻边器中探针的端部设置有一光反射装置。本实用新型通过对点测芯粒增加光反射装置,增强测点的光强,提高点测准确性和点测速度。
技术领域
本实用新型涉及半导体测试技术,尤其涉及一种芯粒测试装置。
背景技术
现有的Micro LED 芯片,以蓝宝石等为衬底,经PSS图形化、外延MOCVD技术磊晶,芯片前段工艺制作形成电极后,Micro LED 芯片包含衬底和生长在衬底表面的外延层。外延层依次包括依次为N型层、量子量子阱层(也称发光层)、P型层以及分别在N型层和P型层上生长的N电极和P电极。当在P型层上的电极上施加一定正压时,促使Micro LED 处于工作状态,P型层中的空穴和N层中的电子进行复合从而发光,同步产生属于Micro LED本身属性的LOP、VF、WLD等光电参数。
目前在Micro LED运用于实际点测过程中,需要使用到测试机运用探针点测的方式进行测试其光电特性,但由于Micro LED本身尺寸非常小,在点测时光强较弱,按照目前的点测机技术很难准确快速测试出其光电。因此针对Micro LED我们需要提出一种新的测试装置。
发明内容
为了解决上述问题,本实用新型提出一种芯粒测试装置,用于测量芯粒的光、电性能参数,其至少包括机架、放置芯粒的具有导电功能的导电板、积分球收光器和CCD扫描仪、第一寻边器和第二寻边器、显示器和光纤,所述导电板设置于机架上,所述积分球收光器和CCD扫描仪设置于所述导电板的上方,第二寻边器和第二寻边器分别设置于导电板的两侧,所述CCD扫描仪与所述积分球收光器相连,所述光纤连接所述显示器和所述积分球收光器,其特征在于:所述第一寻边器中设置有用于直接接触电极的探针,所述第二寻边器设置有一支撑杆,支撑杆的另一端部设置有一光反射装置。
优选的,所述光反射装置为两端均开口的碗状结构。
优选的,所述碗状结构的下端开口大于所述芯粒的大小。
优选的,在测试装置工作时,所述光反射装置罩在所述芯粒上。
优选的,一导线连接于所述导电板。
优选的,在通电测试时,电流通过所述第一寻边器中的探针流入芯粒后沿导电板、导线流出,从而点亮所述芯粒。
优选的,所述反射装置为反射镜或者内表面设置有DBR反射层的反射装置。优选的,所述第一寻边器和所述第二寻边器通过寻边器支架相对设置于所示导电板的两侧。
优选的,所述导电板设置在一导轨上,并可在该导轨上沿X、Y方向移动。
为改善Micro LED点测时发光弱,本实用新型通过对点测芯粒增加光反射装置,增强测点的光强,提高点测准确性和点测速度。
附图说明
图1 为本实用新型具体实施方式之测试装置之剖视结构示意图。
图2 为本实用新型具体实施方式之光放射装置结构示意图。
附图标注:100:机架;200:导电板;210:导线;300:积分球收光器;310:光纤;400:CCD扫描仪;510:第一寻边器;520:第二寻边器;530:探针;540:光反射装置;550:支撑杆;560:寻边器支架;600:显示器;700:导轨。
具体实施方式
下面,参照附图对本实用新型的实施例进行详细说明。在此,本实用新型的范围不局限于下面所要说明的实施形态,本实用新型的实施形态可变形为多种其他形态。
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