[实用新型]一种用于介质材料二次电子发射系数测量的样品测试载台有效

专利信息
申请号: 201821523192.4 申请日: 2018-09-18
公开(公告)号: CN208721595U 公开(公告)日: 2019-04-09
发明(设计)人: 何佳龙;龙继东;李杰;彭宇飞;杨振;刘平;王韬;李喜;董攀;蓝朝晖;郑乐;刘尔祥;赵伟;杨洁;石金水 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院流体物理研究所
主分类号: G01N23/2204 分类号: G01N23/2204
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 高俊
地址: 621000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 样品安装 二次电子发射系数 介质材料 样品测试 绝缘段 连接段 测量 载台 脉冲电子信号 准确度 被测信号 法拉第筒 绝缘部件 载台本体 台本体 入射 串联
【说明书】:

本实用新型公开了一种用于介质材料二次电子发射系数测量的样品测试载台,包括载台本体,所述载台本体包括样品安装段、绝缘段及连接段,所述样品安装段与连接段通过绝缘段串联,且所述绝缘段作为样品安装段与连接段之间的绝缘部件;还包括设置在样品安装段上的法拉第筒。该样品测试载台可以方便准确地测定入射脉冲电子信号,降低被测信号受到的干扰,从而提高介质材料二次电子发射系数的测量准确度。

技术领域

本实用新型涉及介质材料二次电子发射系数测测量技术领域,特别是涉及一种用于介质材料二次电子发射系数测量的样品测试载台。

背景技术

具有一定能量的电子束轰击固体材料时,材料表面会发射出电子,这种现象称为固体材料的二次电子发射现象。材料表面发射出的二次电子与初始入射电子的数目比称为二次电子发射系数,它是材料的一种特征表面参数,可以通过测定入射电子流强和二次电子流强的方法计算得到。

由于介质材料不导电,样品表面发射二次电子后表面产生的剩余电荷会对后续的二次电子发射过程产生影响,因此在测量介质材料的二次电子发射系数时,只能使用脉冲电子束而不能使用直流电子束,同时为了降低单次脉冲电子束入射引起的表面电荷积累量,需要入射电子束脉冲宽度与流强越小越好。并且,由于介质材料不导电,入射电子流强不能通过靶电流与二次电子电流相加的方式计算得到,测试时得先将入射脉冲电子束打到法拉第筒内来测定入射电子信号流强,再在相同入射电子能量与流强下将入射脉冲电子束打到被测样品上来测定二次电子信号流强。

进一步优化介质材料二次电子发射系数测试设备的结构设计,以提高介质材料二次电子发射系数的测量准确度,是本领域技术人员所亟待解决的技术问题。

实用新型内容

针对上述提出的进一步优化介质材料二次电子发射系数测试设备的结构设计,以提高介质材料二次电子发射系数的测量准确度,是本领域技术人员所亟待解决的技术问题的问题,本实用新型提供了一种用于介质材料二次电子发射系数测量的样品测试载台,该样品测试载台可以方便准确地测定入射脉冲电子信号,降低被测信号受到的干扰,从而提高介质材料二次电子发射系数的测量准确度。

本方案的技术手段如下,一种用于介质材料二次电子发射系数测量的样品测试载台,包括载台本体,所述载台本体包括样品安装段、绝缘段及连接段,所述样品安装段与连接段通过绝缘段串联,且所述绝缘段作为样品安装段与连接段之间的绝缘部件;

还包括设置在样品安装段上的法拉第筒。

现有技术中,针对介质材料二次电子发射系数测量,如申请号为201210461824.X的发明专利所提供的技术方案所示,由于法拉第筒、二次电子收集环、样品架三者是独立的,故为适应测试,现有技术中的二次电子收集器如以上发明专利所提供的所示,一般呈平板状、环状、桶状或碗状。同时,由于脉冲电子束打到被测样品上后,虽然所发射的绝大部分电子沿着特定方向运动,但对样品表面所发射出的全部电子而言,电子在空间中的运动方向沿着各个方向的,故现有二次电子收集器实际在工作时,仅能收集到绝大部分电子,这就造成了所测定的二次电子信号流强与实际流强之间存在差值。

同时,现有技术中二次电子收集器的形状也造成了其在空间内并不能完全屏蔽空间辐射耦合噪声对被测信号产生的干扰。

如以上所述,现有技术中的介质材料二次电子发射系数测量存在准确度较差的问题。

本方案中,所述样品安装段用于安装待测的介质材料,所述连接段作为测试载台上用于与真空动平台的连接件,以上真空动平台即为用于驱动测试载台在真空空间内运动的驱动部件,为利于测试的准确性,以上真空动平台、连接段在测试过程中需要接地,故设置为包括以上绝缘段,以上绝缘段作为样品安装段与连接段之间的绝缘部件,这样,通过连接在样品安装段上的被测信号引出线即可获得测试数据。

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