[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201821529359.8 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN208674114U | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 王秉国;宋海;李磊 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体结构 半导体层 晶粒 衬底表面 堆叠结构 隔槽 栅线 存储 本实用新型 掺杂原子 衬底 减小 填充 掺杂 贯穿 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底表面的存储堆叠结构；
贯穿所述存储堆叠结构至所述衬底表面的栅线隔槽；
填充于所述栅线隔槽中的由非晶态转变而成的多晶态半导体层，所述半导体层中掺杂有用于减小所述半导体层晶粒大小的掺杂原子。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体层为多晶硅层。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂原子为碳原子。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体层中的碳原子的物质的量与硅原子的物质的量的比值范围为5％至20％。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体层中晶粒的粒径范围为19nm～150nm。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：覆盖所述栅线隔槽侧壁的绝缘侧墙。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂原子原位掺杂于所述半导体层中。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体层填充满所述栅线隔槽。
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述存储堆叠结构包括沿垂直衬底表面方向交替堆叠设置的绝缘层和控制栅结构层。
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为3D NAND存储器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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