[实用新型]存储器有效
| 申请号： | 201821536437.7 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN208674113U | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 何佳;骆中伟;刘藩东;华文宇;夏志良 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 外延半导体层 衬底表面 堆叠结构 衬底 底面 沟道 存储 本实用新型 预设 贯穿 | ||
1.一种存储器，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底表面形成有存储堆叠结构；
贯穿所述存储堆叠结构的沟道孔；
位于所述沟道孔底部的外延半导体层，所述外延半导体层的底面与所述衬底连接，且所述外延半导体层的底面与衬底表面之间的距离小于一预设值。
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述外延半导体层的底部位于所述衬底表面。
3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述外延半导体层的底面位于所述衬底内，低于所述衬底表面。
4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述外延半导体层的底面与衬底表面之间的距离为100nm以下。
5.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述存储堆叠结构包括交替堆叠的控制栅结构层和绝缘层，所述外延半导体层的顶部高于自衬底表面向上的第一层控制栅结构层。
6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述外延半导体层的顶部低于自衬底表面向上的第二层控制栅结构层。
7.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括：位于所述沟道孔的侧壁表面的功能侧墙；覆盖所述功能侧墙且填充所述沟道孔的沟道介质层。
8.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述功能侧墙包括：覆盖所述沟道孔侧壁的电荷阻挡层、覆盖所述电荷阻挡层的电荷捕获层、覆盖所述电荷阻挡层的隧穿层以及覆盖所述隧穿层及连接所述外延半导体层的沟道层。
9.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括：贯穿所述存储堆叠结构的阵列共源极。
10.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器为3D NAND存储器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
