[实用新型]半导体处理设备

说明书

该实用新型涉及一种半导体处理设备，包括腔体、吹扫模块和运动模块，设置于腔体中，其中运动模块至少可在两个方向上发生运动，且运动模块的运动区域大于等于半导体处理设备的待吹扫区域；吹扫模块搭载在运动模块上，能够跟随运动模块在至少两个方向上运动，用于吹扫半导体处理过程中的副产物。本实用新型中的半导体处理设备具有设置在半导体处理设备腔体内的吹扫模块，因此可以在不打开半导体处理设备的腔体的情况下对半导体处理设备的腔体进行吹扫，简单方便。且吹扫模块安装在具有至少两个不同运动方向的运动单元的运动模块上，跟随运动单元进行运动，因此，吹扫模块的吹扫位置可随着运动模块的运动而变化，吹扫范围加宽。

技术领域

本实用新型涉及晶圆生产制造加工设备领域，具体涉及一种半导体处理设备。

背景技术

晶圆的生产过程中有很多工艺制程是在半导体处理设备的腔体中进行的。在对晶圆进行处理的过程中，难免会有副产物沉积在腔体中。当副产物沉积到一定厚度时，就会发生剥落，掉落到腔体中放置的晶圆上，影响晶圆的质量。

现有技术中，通过技术人员对所述腔体进行预防养护来克服上述问题。如采用手动吹晶舟的方法，将晶舟上沉积的、掉落的副产物吹落。在手动吹晶舟时需要打开腔体的舱门，容易将空气中的漂浮物带入腔体中，飘落到晶圆上影响晶圆的质量，且打开舱门后腔体中原有的氛围会被破坏，再在所述腔体中营造相同的氛围需要较长时间，且采用人工操作，有不按制定的规程进行操作的风险。如何进一步提高半导体处理设备出产的晶圆的良率，是本领域的技术人员亟待解决的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体处理设备，能够提高半导体处理设备出产的晶圆的良率。

为解决上述技术问题，本实用新型中提供了一种半导体处理设备，包括腔体，还包括均设置于所述腔体中的吹扫模块和运动模块，其中所述运动模块至少可在两个方向上运动，且所述运动模块的运动区域的面积大于或等于所述半导体处理设备的待吹扫区域的面积；所述吹扫模块搭载在运动模块上，能够跟随运动模块在至少两个方向上运动，用于吹扫半导体处理过程中生成的副产物。

可选的，还包括控制模块，所述控制模块连接所述吹扫模块和运动模块，用于控制所述吹扫模块的吹扫状态，以及控制所述运动模块的运动状态。

可选的，所述运动模块包括第一运动单元和第二运动单元，其中，所述第一运动单元包括伸缩轴，所述伸缩轴与所述控制模块连接，贴合所述半导体处理设备的腔体壁设置，所述伸缩轴能够沿轴向进行伸缩运动；所述第二运动单元包括伸缩臂，所述伸缩臂设置于所述伸缩轴上，包括伸缩端、伸缩缸和固定端，且所述固定端连接到所述伸缩轴；所述伸缩缸连接到所述控制模块，所述伸缩缸的缸体连接所述固定端，所述伸缩缸的活塞杆连接所述伸缩端，所述伸缩缸的运动方向与所述伸缩轴的轴线垂直。

可选的，所述吹扫模块包括吹扫单元，所述吹扫单元设置于所述伸缩端上。

可选的，所述运动模块还包括第三运动单元，所述第三运动单元包括柄部和旋转弧，其中所述柄部设置到所述伸缩端，跟随所述伸缩端运动；所述旋转弧设置在所述柄部顶端，所述吹扫单元安装在所述旋转弧上；所述柄部和旋转弧通过旋转气缸相连接，所述旋转气缸与所述控制模块相连接，所述控制模块用于通过旋转气缸控制所述旋转弧相对于所述柄部旋转。

可选的，所述腔体中放置有晶舟，用于放置晶圆，且所述晶舟具有竖直方向上的支撑柱，所述伸缩轴的运动方向垂直于水平方向，所述伸缩臂的运动方向平行于水平方向，所述伸缩臂的伸缩端上安装的第三运动单元的个数与所述晶舟的支撑柱的个数相一致，所述第三运动单元安装到所述伸缩端上的位置也与所述支撑柱的位置相适应。

可选的，所述吹扫模块还包括吹扫管路和吹扫气体净化部，其中所述吹扫管路一端连接所述吹扫单元，另一端用于连接至吹扫气体源，将吹扫气体输送到吹扫单元；所述吹扫气体净化部设置于吹扫管路的路径上，用于对流经所述吹扫管路的吹扫气体进行净化。