[实用新型]半导体存储器电容连接线结构

权利要求书

1.一种半导体存储器电容连接线结构，其特征在于，包括：

表面包含若干个间隔排布有源区的半导体衬底；

若干个位线，位于所述半导体衬底上，且与所述有源区相连接；

层间介质层，填充于所述位线之间的间隙及所述位线外侧区域；

第一电容连接孔，形成于所述层间介质层中，且位于所述位线之间的部分所述有源区上；

第二电容连接孔，形成于所述层间介质层中，且位于所述位线之间的部分所述有源区上，并通过所述层间介质层与所述第一电容连接孔分隔；

导电层，填充于所述第一电容连接孔和所述第二电容连接孔中，分别形成第一电容连接线结构和第二电容连接线结构，下方连接所述有源区；及

隔离介质层，覆盖于所述导电层的侧壁。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器电容连接线结构，其特征在于，所述隔离介质层至少包含第一隔离介质层和第二隔离介质层，所述第一隔离介质层形成于所述第一电容连接孔和所述第二电容连接孔的侧壁表面，所述第二隔离介质层形成于所述第一隔离介质层的表面。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器电容连接线结构，其特征在于，所述导电层至少包含第一导电层和第二导电层，所述第一导电层位于所述有源区的上方，所述第二导电层位于所述第一导电层的上方。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器电容连接线结构，其特征在于，所述半导体存储器电容连接线结构还包括形成于所述半导体衬底内的浅沟槽隔离结构及埋入式字线，所述若干有源区由所述浅沟槽隔离结构隔离。