[实用新型]一种高性能的AMOLED显示器有效
| 申请号： | 201821543890.0 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN209056489U | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 曾志远;钟祥桂;黄志杰;朱书纬 | 申请（专利权）人： | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人： | 林志峥 |
| 地址： | 351100 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体层 绝缘层 透明导电层 电容区域 玻璃层 本实用新型 玻璃层表面 第二金属层 电气性能 区域结构 依次层叠 整体电容 紧凑性 外设 均衡 侧面 | ||
【权利要求书】：
1.一种高性能的AMOLED显示器，其特征在于，包括电容区域结构；所述电容区域结构包括玻璃层、透明导电层、绝缘层和半导体层，所述透明导电层、绝缘层和半导体层依次层叠设置在所述玻璃层表面，所述半导体层远离玻璃层的一侧面与外设的第二金属层接触；所述透明导电层的厚度为400-500埃米，所述绝缘层的厚度为3000-5000埃米，所述半导体层的厚度为2000-3000埃米；所述透明导电层的厚度为445埃米，所述绝缘层的厚度为4094埃米，所述半导体层的厚度为2714.5埃米。
2.根据权利要求1所述的高性能的AMOLED显示器，其特征在于，所述透明导电层包括有铟锡氧化物、铟锌氧化物、石墨烯和单壁碳纳米管中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的高性能的AMOLED显示器，其特征在于，所述透明导电层包括用于覆盖在玻璃层上的碳纳米管层和覆盖在所述碳纳米管层上的石墨烯层；所述碳纳米管层为垂直于所述玻璃层的碳纳米管阵列；所述石墨烯层为平行于所述玻璃层的石墨烯单层。
4.根据权利要求1所述的高性能的AMOLED显示器，其特征在于，所述电容区域结构对应AMOLED显示器的指纹识别区域设置。
5.根据权利要求1所述的高性能的AMOLED显示器，其特征在于，所述半导体层的氧化物介质为IGZO。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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