[实用新型]一种高性能的AMOLED显示器

说明书

本实用新型涉及AMOLED技术领域，尤其涉及一种高性能的AMOLED显示器，包括电容区域结构；所述电容区域结构包括玻璃层、透明导电层、绝缘层和半导体层，所述透明导电层、绝缘层和半导体层依次层叠设置在所述玻璃层表面，所述半导体层远离玻璃层的一侧面与外设的第二金属层接触；所述透明导电层的厚度为400‑500埃米，所述绝缘层的厚度为3000‑5000埃米，所述半导体层的厚度为2000‑3000埃米。当透明导电层、绝缘层以及半导体层三者的厚度取值均在上述对应的厚度范围内时，可使得整体电容区域结构实现在结构的紧凑性以及电气性能上达到均衡，效果较优，从而实现高性能。

技术领域

本实用新型涉及AMOLED技术领域，尤其涉及一种高性能的AMOLED显示器。

背景技术

随着科技水平的日益提高，日新月异的显示技术给人们带来了不同的视觉感受，在光电显示领域，CRT已经基本被淘汰，液晶显示正处于发展的顶盛时期，与之相比，有机发光显示(OLED)还处于发展的初级阶段，与普通的显示技术相比，有机发光显示不需要背光源，只要合适的偏置电源，便可以实现自发光，因此OLED比液晶面板响应速度快，功耗低，基本无视角限制，避免了液晶显示存在的画面拖尾现象，结构上因为不需要光学膜片等模组组件，可以比其他显示器做的轻、薄，而且OLED是全固态结构，不含汞，对人体健康没有伤害，因此，OLED在发展之初就被认为是最具有发展潜力的显示技术，也是最适合消费者使用的新型显示技术之一，因此，对于大尺度的AMOLED显示器的研究很有发展前景。

光学式屏下指纹识别搭载AMOLED显示屏，同时在画素区域需做器件避让，使得指纹反射光可以穿透过避让区到达屏幕下方的光敏传感器，实现指纹信息的收集以便进一步的识别与操作。随着分辨率的提升，sub-pixel(亚像素)尺寸不断缩小，在不断挑战制程和设计限制的同时还要设置屏下指纹识别的避让区，将限制屏下指纹识别在高分辨率AMOLED显示技术中的应用。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种AMOLED显示器，形成屏下指纹识别所需的避让区，并且使得整体电容区域结构实现在结构的紧凑性以及电气性能上达到均衡，效果较优，从而实现高性能。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：

一种高性能的AMOLED显示器，包括电容区域结构；所述电容区域结构包括玻璃层、透明导电层、绝缘层和半导体层，所述透明导电层、绝缘层和半导体层依次层叠设置在所述玻璃层表面，所述半导体层远离玻璃层的一侧面与外设的第二金属层接触；所述透明导电层的厚度为400-500埃米，所述绝缘层的厚度为3000-5000埃米，所述半导体层的厚度为2000-3000埃米。

进一步的，所述透明导电层包括有铟锡氧化物、铟锌氧化物、石墨烯和单壁碳纳米管中的一种或多种。

进一步的，所述透明导电层包括用于覆盖在玻璃层上的碳纳米管层和覆盖在所述碳纳米管层上的石墨烯层；所述碳纳米管层为垂直于所述玻璃层的碳纳米管阵列；所述石墨烯层为平行于所述玻璃层的石墨烯单层。

进一步的，所述电容区域结构对应AMOLED显示器的指纹识别区域设置。

进一步的，所述半导体层的氧化物介质为IGZO。

本实用新型的有益效果在于：

本实用新型提供的高性能的AMOLED显示器，将AMOLED显示结构中的电容区域结构设置为透明结构，由透明导电层和半导体层构成电容结构的两极板，进而形成屏下指纹识别所需的避让区，提升集成新功能，实现光学式屏下指纹识别的设计。当透明导电层、绝缘层以及半导体层三者的厚度取值均在上述对应的厚度范围内时，可使得整体电容区域结构实现在结构的紧凑性以及电气性能上达到均衡，效果较优，从而实现高性能。

附图说明

图1为本实用新型的高性能的AMOLED显示器的结构示意图；